半导体器件及其制造方法

摘要

本发明实施例涉及由于STI顶部拐角中的电场浓度造成的劣化而引起的器件的可靠性降低。为了解决可靠性问题，在根据本发明实施例制造的半导体器件中，STI顶部拐角具有硅的局部氧化，STI的顶部拐角变圆，并且增加了STI的梯级。本发明实施例涉及一种半导体器件的高压区或低压区中的STI，该半导体器件可以通过设置具有浅沟槽隔离结构、高压区和低压区的半导体衬底来制造。在包括浅沟槽隔离结构的高压区和低压区顶部的整个表面上方形成覆盖层。在覆盖层的顶部上方形成光刻胶图样以暴露包括形成在高压区内的一部分浅沟槽隔离结构的高压区。通过使用光刻胶图样作为掩模实施蚀刻工艺来去除高压区的覆盖层。在从其上去除了覆盖层的高压区的浅沟槽隔离结构的顶部拐角上实施氧化工艺。然后实施离子注入。可以使用倾斜方法通过注入硼来实施离子注入。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：设置高压区和低压区的半导体衬底，其中，所述高压区和所述低压区均具有浅沟槽隔离结构；在包括所述浅沟槽隔离结构的所述高压区和所述低压区的顶部的整个表面上方形成覆盖层；在所述覆盖层上方形成光刻胶图样以暴露包括形成在所述高压区内的一部分所述浅沟槽隔离结构的所述高压区；通过使用所述光刻胶图样作为掩模实施蚀刻工艺来去除所述高压区的所述覆盖层；在从其上去除了所述覆盖层的所述高压区中的所述浅沟槽隔离结构的顶部拐角上实施氧化工艺；以及通过使用倾斜方法仅在所述高压区中的所述浅沟槽隔离结构的顶部拐角中注入硼来执行离子注入。