发明名称 |
一种优序法的GPP芯片腐蚀方法 |
摘要 |
本发明提供了一种优序法的GPP芯片腐蚀方法,它在沟槽腐蚀时采用以下步骤:顺序法和倒序法交替使用进行开沟腐蚀,将芯片按顺序分成N架;将所有芯片按沟深分档,分成M架,分别放入酸槽中开沟至要求深度,M与N相等或不等。本发明利用顺序和倒序交叉使用的优序方法,并配合以最后的分档加开步骤,有效地消除了传统开沟因采用顺序法、连续腐蚀导致腐蚀液比例变化而腐蚀能力变化,进而导致GPP产品前后生产中出现的沟槽宽度和深度的不一致的问题,使GPP沟槽在开沟腐蚀过程中保证一致的、均匀的沟槽宽度和深度,能够提高生产过程中的产品合格率并能够改善槽形,提高封装后功率产品可靠性。 |
申请公布号 |
CN101604629B |
申请公布日期 |
2011.03.09 |
申请号 |
CN200910100187.1 |
申请日期 |
2009.07.02 |
申请人 |
浙江常山隆昌电子有限公司 |
发明人 |
王坚红 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 |
代理人 |
刘晓春 |
主权项 |
一种优序法的玻璃披覆钝化芯片腐蚀方法,其特征在于它在沟槽腐蚀时采用以下步骤:1).顺序法和倒序法交替使用进行开沟腐蚀:1‑1).将芯片按顺序分成N架,N为大于1的自然数;1‑2).将第1架芯片放入酸槽中进行第一次开沟,完毕后,取出第1架芯片,按此步骤,按顺序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第一次开沟,直至第N架芯片第一次开沟完毕后;1‑3).将第N架芯片旋转90度,在酸槽中进行第二次开沟,完毕后,取出第N架芯片,按此步骤,按倒序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第二次开沟,直至第1架芯片第二次开沟完毕后;1‑4).将第1架芯片继续旋转90度,在酸槽中进行第三次开沟,完毕后,取出第1架芯片,按此步骤,按顺序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第三次开沟,直至第N架芯片第三次开沟完毕后;1‑5).将第N架芯片继续旋转90度,在酸槽中进行第四次开沟,完毕后,取出第N架芯片,按此步骤,按倒序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第四次开沟,直至第1架芯片第四次开沟完毕后;2).将所有芯片按沟深分档,分成M架,分别放入酸槽中开沟至要求深度,M为大于1的自然数,M与N相等或不等。 |
地址 |
324200 浙江省常山县新都工业园区 |