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发明名称
Phase-Change Memory Device and Fabrication Method Thereof
摘要
申请公布号
KR101019984(B1)
申请公布日期
2011.03.09
申请号
KR20070080510
申请日期
2007.08.10
申请人
发明人
分类号
H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
主权项
地址
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