发明名称 Phase-Change Memory Device and Fabrication Method Thereof
摘要
申请公布号 KR101019984(B1) 申请公布日期 2011.03.09
申请号 KR20070080510 申请日期 2007.08.10
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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