发明名称 嵌入式组件基板及其制造方法
摘要 嵌入式组件基板的一实施例包括:(1)一半导体组件,包括下表面、侧向表面、以及上表面;(2)一第一图案化导电层,包括一第一电性互连件,此第一电性互连件于第一图案化导电层中实质上侧向延伸;(3)一第二电性互连件,自第一电性互连件的一第一表面实质上垂直延伸,且包括侧向表面、上表面、以及一邻接于此第一表面的下表面;(4)一介电层,包括一开口,此开口自介电层的一上表面延伸至介电层的一下表面,其中:(a)介电层实质上覆盖组件的侧向表面及上表面,且至少覆盖第二电性互连件的侧向表面的一部份;以及(b)第二电性互连件实质上填充此一开口;以及(5)一第二图案化导电层邻接至介电层及第二电性互连件的上表面。
申请公布号 CN101982878A 申请公布日期 2011.03.02
申请号 CN201010286367.6 申请日期 2010.09.07
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 苏洹漳;黄士辅;李明锦;王建皓
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆勍
主权项 一种嵌入式组件基板,包括:一半导体组件,包括:(a)一下表面;(b)数个侧向表面,该些侧向表面邻接于该半导体组件的一周围;以及(c)一相对于该下表面的上表面;一第一图案化导电层,包括一第一电性互连件,该第一电性互连件于该第一图案化导电层中实质上侧向延伸;一第二电性互连件,自该第一电性互连件的一第一表面实质上垂直延伸,该第二电性互连件包括:(a)一下表面,该下表面邻接至该第一表面;(b)一侧向表面;以及(c)一相对于该第二电性互连件的该下表面的上表面;一第一介电层,包括:(a)一上表面;(b)一下表面;以及(c)一第一开口,该第一开口自该第一介电层的该上表面延伸至该第一介电层的该下表面,其中该第一介电层实质上覆盖该半导体组件的该些侧向表面、该半导体组件的该上表面,且至少覆盖该第二电性互连件的该侧向表面的一部分,且该第二电性互连件实质上填充该第一开口;以及一第二图案化导电层,邻接至该第一介电层的该上表面,以及该第二电性互连件的该上表面。
地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号