凸点发光二极管及其制造方法

摘要

本发明凸点发光二极管，凸点发光二极管芯片的电极上镀制凸点下金属，凸点下金属上部生长金属凸点；发光二极管芯片上方除电极以外的表面生长有钝化层；封装支架上制作有焊垫；凸点发光二极管的金属凸点倒装焊接在封装支架的焊垫上。其制作方法，包括以下步骤：制作钝化层，溅镀金属牺牲层，制作光刻胶掩膜，形成金属凸点，去除光刻胶掩膜，去除金属牺牲层，减薄、切分成为独立的芯片，并倒装焊于SMD支架上，形成倒装焊LED模组。本发明使发光二极管的芯片不须金线键合及固晶工艺，直接接通电路并组装在基板或金属支架上，实现封装小型化，多芯片模组及成功解决发光二极管的散热问题。

主权项

一种凸点发光二极管，包括封装支架和凸点发光二极管芯片，其特征在于：凸点发光二极管芯片包括基底、晶体层、发光层、P电极和N电极，还包括一金属牺牲层，在基底上形成N型区域和P型区域晶体层，N型区域和P型区域之间为发光层，在晶体层的N型区域和P型区域分别形成P电极和N电极，P电极和N电极上填充凸点下金属，凸点下金属上部制造有金属凸点，金属牺牲层分别设置在P电极与凸点下金属之间以及N电极与凸点下金属之间；发光二极管芯片上方除电极以外的表面覆盖有钝化层；封装支架内设有用于焊接对应的凸点发光二极管的焊垫；凸点发光二极管芯片通过金属凸点倒装焊接在封装支架的焊垫上；所述发光二极管芯片的厚度小于200um，金属凸点高度大于1um。