| 发明名称 | 结合互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同的栅介质 | ||
| 摘要 | 可以利用具有不同栅介质的NMOS和PMOS晶体管来形成互补金属氧化物半导体集成电路。可以例如通过置换过程形成不同的栅介质。作为多个示例，栅介质可以在材料、厚度或形成技术上不同。 | ||
| 申请公布号 | CN101982874A | 申请公布日期 | 2011.03.02 |
| 申请号 | CN201010286495.0 | 申请日期 | 2005.06.24 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·梅茨;S·达塔;J·卡瓦利罗斯;M·多茨;J·布拉斯克;R·乔 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 柯广华;高为 |
| 主权项 | 一种方法，包括：利用具有不同栅介质的NMOS和PMOS晶体管来形成互补金属氧化物半导体集成电路。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||