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一种温度发电装置，系包括：温度反应层，该温度反应层具有一反应面，系为低比热、太阳放射吸收率接近1且低黑体放射率之材料；接地电极，系以接地电极之一面镀于温度反应层上，其材料系为低游离能材料；第一绝缘层，系设置于接地电极上，其厚度系为10-10m~10-2m，该第一绝缘层系为绝缘性材料或绝缘间隔其中任一种；吸引电极，具有网状孔洞，连接于第一绝缘层上，该吸引电极之材料系为高熔点且高游离能材料；第二绝缘层系设置于吸引电极上，其厚度系为10-10m~10-2m，该第一绝缘层系为绝缘性材料或绝缘间隔其中任一种；输出电极，连接于第二绝缘层上，该输出电极之材料系为高熔点且高游离能材料；外接电源，其正极连接吸引电极，负极连接温度反应层，提供吸引电极高电场环境；封装罩体，系为一密闭中空罩体，封罩住上述元件，封装罩体内系为真空。如申请专利范围第1项所述之温度发电装置，其中该温度反应层材料系选自不锈钢、氧化铜、镍及铬所组成材料群组之任一种。如申请专利范围第1项所述之温度发电装置，其中该温度反应层之太阳放射吸收率接近1时大气质量为2；其黑体放射率系为对100℃黑体放射的放射率，且放射率趋近0。如申请专利范围第1项所述之温度发电装置，其中该温度反应层之吸收面系为深色。如申请专利范围第1项所述之温度发电装置，其中该接地电极之低游离能材料系为第一游离能小于140(kcal/mole)之材料。如申请专利范围第5项所述之温度发电装置，其中该低游离能材料系选自镧、铝、铪、化学周期表的硷金族元素之锂、钠、钾、铷、铯及化学周期表的硷土族元素之铍、镁、钙、锶、钡、镭所组成材料群组之任一种。如申请专利范围第1项所述之温度发电装置，其中该吸引电极与输出电极之材料系为铜、铁、银、矽或钛其中任一种。如申请专利范围第1项所述之温度发电装置，其中第一绝缘层与第二绝缘层之绝缘性材料系为二氧化矽、钛酸钡、钛酸铅钡其中任一种，且绝缘性材料上具有网状孔洞。如申请专利范围第1项所述之温度发电装置，其中第一绝缘层与第二绝缘层之绝缘间隔，系于吸引电极与接地电极之间留有一10-10m~10-2m之间隔，待真空封装后，该绝缘间隔系为真空状态，具有绝缘效果。如申请专利范围第1项所述之温度发电装置，系将两个温度发电装置以输出电极为中心以面对面的方式合并，两端接受热能之接地电极短路成共同接地，形成一对称结构。如申请专利范围第1项所述之温度发电装置，利用串联或并联组合多个温度发电装置。一种温度发电方法，系在真空环境中：A.设置一接地电极：系于一温度反应层上披覆一层低游离能材料；B.设置一第一绝缘层：于上述接地电极上设置极薄之第一绝缘层；C.设置一吸引电极：设置一层低电阻、高熔点且高游离能之吸引电极与第一绝缘层相连；D.设置一第二绝缘层：于吸引电极上设置极薄之第二绝缘层；E设置一输出电极：设置一低电阻、高熔点且高游离能之输出电极与第二绝缘层相连；以产生电流与电压。如申请专利范围第12项所述之温度发电方法，其中步骤A、C、E中，电极制备之方式系为蒸镀、溅镀、物理气相磊晶法、化学气相磊晶法或物理化学气相磊晶法其中任一种。如申请专利范围第12项所述之温度发电方法，其中步骤B、D中，设置绝缘层之方式系为镀上绝缘性材料或绝缘间隔。如申请专利范围第14项所述之温度发电方法，其中镀上绝缘性材料之方式系为蒸镀、溅镀、物理气相磊晶法、化学气相磊晶法或物理化学气相磊晶法其中任一种，该绝缘性材料厚度系为10-10m~10-2m。如申请专利范围第14项所述之温度发电方法，其中绝缘间隔系在电极间存在一10-10m~10-2m之绝缘间隔，待真空封装后，该绝缘间隔系为真空状态，具有绝缘效果。如申请专利范围第12项所述之温度发电方法，其中上述步骤B到D中，该第一绝缘层、吸引电极及第二绝缘层须以蚀刻技术做出网状孔洞，若第一、第二绝缘层系以绝缘间隔，则不需蚀刻。如申请专利范围第17项所述之温度发电方法，其中，该蚀刻方式系于待蚀刻表面涂上光阻，再以黄光微影与显影，透过光罩与光阻于其上曝晒出网状图案，再将不要的部份蚀刻去除。如申请专利范围第12项所述之温度发电方法，其中真空环境系大气压力小于100微托(mTorr)。 |
