| 主权项 |
一种电致发光装置，其包含：一电致发光元件；以及一薄膜电晶体，其电性连接至该电致发光元件，该薄膜电晶体包含：一闸极电极，其形成于一基板上；一绝缘层，其形成于该闸极电极上；一第一半导体图案，其形成于该绝缘层上；一蚀刻终止层，其形成于该第一半导体层上；一第二半导体图案，其在该蚀刻终止层的一侧形成于该蚀刻终止层上；一第三半导体图案，其在该蚀刻终止层的另一侧形成于该蚀刻终止层上；一源极电极，其形成于该第二半导体图案上；以及一汲极电极，其形成于该第三半导体图案上。如申请专利范围第1项之电致发光装置，其中该电致发光元件包含：一阳极电极；一发光层，其形成于该阳极电极上；以及一阴极电极，其形成于该发光层上。如申请专利范围第2项之电致发光装置，其中该阳极电极系电性连接至该薄膜电晶体的该汲极电极。如申请专利范围第2项之电致发光装置，其中该发光层系一有机发光层。一种电致发光装置，其包含：一闸极汇流排线，其在一基板上一第一方向上延伸；一资料汇流排线，其在该基板上一第二方向上延伸；一电源供应线，其在该基板上与该资料汇流排线平行延伸；一开关电晶体，其电性连接至该闸极汇流排线，该开关电晶体包含：一第一闸极电极，其从该闸极汇流排线延伸；一第一半导体图案，其形成于该第一闸极电极上；一第一蚀刻终止层，其形成于该第一半导体图案上；一第二半导体图案，其在该第一蚀刻终止层的一侧形成于该第一半导体图案上；一第三半导体图案，其在该第一蚀刻终止层的另一侧形成于该第一半导体图案上；一第一源极电极，其形成于该第二半导体图案上，该第一源极电极从该资料汇流排线延伸；以及一第一汲极电极，其形成于该第三半导体图案上；一驱动电晶体，其电性连接至该电源供应线，该驱动电晶体包含：一第二闸极电极，其电性连接至该开关电晶体之该第一汲极电极；一第四半导体图案，其形成于该第二闸极电极上；一第二蚀刻终止层，其形成于该第四半导体图案上；一第五半导体图案，其在该第二蚀刻终止层的一侧形成于该第四半导体图案上；一第六半导体图案，其在该第二蚀刻终止层的另一侧形成于该第四半导体图案上；一第二源极电极，其形成于该第五半导体层上，该第二源极电极从电源供应线延伸；以及一第二汲极电极，其形成于该第六半导体层上；一电致发光元件，其电性连接至该驱动电晶体之该第二汲极电极。如申请专利范围第5项之电致发光装置，其中该电致发光元件包含：一阳极电极，其电性连接至该驱动电晶体之该第二汲极电极；一发光层，其形成于该阳极电极上；以及一阴极电极，其形成于该发光层上。如申请专利范围第6项之电致发光装置，其中该发光层系一有机发光层。如申请专利范围第5项之电致发光装置，其中该等第一及第四半导体图案系由一非晶性矽薄膜形成。如申请专利范围第5项之电致发光装置，其中该等第二、第三、第五及第六半导体图案系由一n+非晶性矽薄膜形成。如申请专利范围第5项之电致发光装置，其中该等第一及第二蚀刻终止层具有一大约100至大约200的厚度。如申请专利范围第5项之电致发光装置，其进一步包含：一连接电极，其将该第一汲极电极连接至该第二闸极电极。一种形成电致发光装置之方法，其包括：形成一在一基板上一第一方向上延伸的闸极汇流排线；形成一在该基板上一第二方向上延伸的资料汇流排线；形成一在该基板上与该资料汇流排线平行延伸的电源供应线；形成一电性连接至该闸极汇流排线的开关电晶体，形成一开关电晶体包括下列步骤：形成一从该闸极汇流排线延伸的第一闸极电极；在该第一闸极电极上形成一第一半导体图案；在该第一半导体图案上形成一第一蚀刻终止图案；在该第一蚀刻终止图案的一侧，在该第一半导体图案上形成一第二半导体图案；在该第一蚀刻终止图案的另一侧，在该第一半导体图案上形成一第三半导体图案；在该第二半导体图案上形成一第一源极电极，该第一源极电极从该资料汇流排线延伸；以及在该第三半导体图案上形成第一汲极电极；形成一电性连接至该电源供应线的驱动电晶体，形成一驱动电晶体包括下列步骤：形成一电性连接至该开关电晶体之该第一汲极电极的第二闸极电极；在该第二闸极电极上形成一第四半导体图案；在该第四半导体图案上形成一第二蚀刻终止图案；在该第二蚀刻终止图案的一侧，在该第四半导体图案上形成一第五半导体图案；在该第二蚀刻终止图案的另一侧，在该第四半导体图案上形成一第六半导体图案；在该第五半导体层上形成一第二源极电极，该第二源极电极从该电源供应线延伸；以及在该第六半导体层上形成一第二汲极电极；以及形成一电性连接至该驱动电晶体之该第二汲极电极的电致发光元件。如申请专利范围第12项之方法，其中该闸极汇流排线、该第一闸极电极及该第二闸极电极系藉由蚀刻一闸极金属薄层同时形成。如申请专利范围第12项之方法，其中该等第一及第二蚀刻终止图案系藉由蚀刻一蚀刻终止层同时形成。如申请专利范围第12项之方法，其中该资料汇流排线、该电源供应线、该等第一及第二汲极电极，以及该等第一及第二源极电极系藉由蚀刻在第一及第二半导体层上形成的一源极/汲极金属薄层同时形成。如申请专利范围第15项之方法，其中该等第一、第二、第三、第四、第五及第六半导体图案系藉由使用该资料汇流排线、该电源供应线、该等第一及第二汲极电极与该等第一及第二源极电极作为一遮罩来对该等第一及第二半导体层进行蚀刻而同时形成，以及该等第一及第二蚀刻终止图案可防止蚀刻该等第一及第二半导体层之部分。如申请专利范围第12项之方法，其进一步包括：在该开关电晶体及该驱动电晶体上形成一第一相互绝缘层；以及在该第一相互绝缘层中形成一第一、第二及第三接触孔，该第一接触孔部分曝露该第一汲极电极，该第二接触孔部分曝露该第二闸极电极，而该第三接触孔部分曝露该第二汲极电极。如申请专利范围第17项之方法，其进一步包括：在该第一相互绝缘层上形成一阳极薄层；藉由蚀刻该阳极薄层而形成该电致发光元件之一阳极电极及一将该第一汲极电极电性连接至该第二闸极电极的连接电极。如申请专利范围第18项之方法，其进一步包括：在该第一相互绝缘层上形成一第二相互绝缘层；在该第二相互绝缘层中形成一曝露该阳极电极的开口。如申请专利范围第18项之方法，其进一步包括：在该阳极电极上形成该电致发光元件之一发光层；以及在该发光层上形成该电致发光元件之一阴极电极。如申请专利范围第20项之方法，其中该发光层系一有机发光层。一种形成电致发光装置之方法，其包括：形成一电致发光元件；以及形成一电性连接至该电致发光元件的薄膜电晶体，形成一薄膜电晶体包括下列步骤：在一基板上形成一闸极电极；在该闸极电极上形成一绝缘层；在该绝缘层上形成一第一半导体图案；在该第一半导体层上形成一蚀刻终止图案；在该蚀刻终止图案的一侧，在该蚀刻终止层上形成一第二半导体图案；在该蚀刻终止图案的另一侧，在该蚀刻终止层上形成一第三半导体图案；在该第二半导体图案上形成一源极电极；以及在该第三半导体图案上形成一汲极电极。如申请专利范围第22项之方法，其中一资料汇流排线、一电源供应线、该汲极电极以及该源极电极系藉由蚀刻在第一及第二半导体层上形成的一源极/汲极金属薄层同时形成。如申请专利范围第23项之方法，其中该等第一、第二及第三半导体图案系藉由使用该资料汇流排线、该电源供应线、该汲极电极与该源极电极作为一遮罩来对该等第一及第二半导体层进行蚀刻而同时形成，以及该蚀刻终止图案可防止蚀刻该半导体层之部分。 |
