| 主权项 |
一种显示装置，其包含：一绝缘基板；复数个闸极线路，其形成于该绝缘基板上，该复数个闸极线路包括复数个闸电极；一闸极绝缘层，其覆盖该复数个闸极线路；复数个资料线路，其形成于该闸极绝缘层上且包含一下方层和一上方层；复数个源电极及复数个汲电极，该复数个源电极及复数个汲电极形成于该闸极绝缘层上且彼此隔开以界定一安置于其间之通道区域；一有机半导体层，其形成于每一像素之该通道区域上且实体上接触该源电极及汲电极，该有机半导体层之一预定部分重叠该源电极、该汲电极之部分与该闸电极一起以形成一电晶体；复数个像素电极，其形成于该闸极绝缘层上，其中该等源电极、汲电极、及该等像素电极而与该等资料线路之下方层形成于同一层。如请求项1之显示装置，其中该源电极从该等资料线路之该下方层延伸。如请求项2之显示装置，其中该等闸极线路进一步包含：在该等闸极线之末端部分处形成复数个闸极焊垫，且该等复数个资料线路进一步包含一提供于该资料线之末端部分处之复数个资料焊垫，且其中该复数个资料焊垫包含该下方层和该上方层。如请求项3之显示装置，进一步包含复数个闸极焊垫接触层，其覆盖该等闸极焊垫且与该等资料线路之下方层形成于同一层。如请求项4之显示装置，进一步包含复数个金属层，其形成于该等闸极焊垫接触层上且其该等资料线路之上方层形成于同一层。如请求项1之显示装置，其中该该等资料线路之该下方层包含氧化铟锡(ITO)及氧化铟锌(IZO)中之至少一者。如请求项1之显示装置，其进一步包含一第一钝化层，该第一钝化层形成于该有机半导体层上之该通道区域上。如请求项7之显示装置，其进一步包含一第二钝化层，该第二钝化层形成于该第一钝化层上。如请求项8之显示装置，其中该第一钝化层包含一氟基高分子材料且该第二钝化层包含氧化铟锡及氧化铟锌中之至少一者。如请求项8之显示装置，其中该第一钝化层包含由一环化透明高分子材料组成之群之任意一者，该环化透明高分子材料系由以下所列各物之共聚物获得：聚四氟乙烯(PTET)，氟化乙烯丙稀(FEP)，聚氟烷氧基(PFA)，乙烯四氟乙烯(ETFE)，聚偏二氟乙烯(PVDF)，及全氟(烯基乙烯醚)。如请求项1之显示装置，其中该闸极绝缘层包含一第一闸极绝缘层及一第二闸极绝缘层，该第一闸极绝缘层包含氮化矽(SiNx)及氧化矽(SiOx)中之至少一者，且该第二闸极绝缘层包含一矽基聚合物、偶氮二异丁腈(AIBN)、正钛酸四丁酯(Ti(Obu)4)及丁醇中之至少一者。如请求项1之显示装置，其中该有机半导体层包含一选自由以下所列各物组成之群之材料：一包括幷四苯或幷五苯取代基之衍生物；经由噻吩环之2位及5位彼此耦接之4-8寡聚噻吩；并四甲酸二酐或其一醯亚胺衍生物；萘四甲酸二酐或其一醯亚胺衍生物；金属化酞菁或其一卤素衍生物；苝或六苯幷苯及一包括其取代基之衍生物；伸噻吩与伸乙烯基之共寡聚物或共聚物；噻吩；伸噻吩或六苯幷苯及一包括其取代基之衍生物；及一在该等材料之一芳环或杂芳环中包括一或多个烃链之衍生物，该或该等烃链具有1至30个碳。一种用于制造一显示装置之方法，其包含：提供一绝缘基板；在该绝缘基板上形成复数个闸极线路，该等复数个闸极线路包括复数个闸电极；在该绝缘基板上形成一闸极绝缘层，该闸极绝缘层覆盖该等复数个闸极线路；相继沉积一下方层在该闸极绝缘层上及一上方层在该下方层上；同时地图案化：该上方层及该下方层以形成复数个资料线路；复数个源电极及复数个汲电极，彼此隔开以界定一安置于其间之通道区域；及复数个像素电极；其中该等资料线路包含该下方层及该上方层，且其中该等源电极、该等汲电极、及该等像素电极包含该下方层；及于每一像素之该等通道区域上形成有机半导体层且重叠该源电极及该汲电极之部分，其中该有机半导体层、该源电极、及该汲电极与该闸电极一起形成一电晶体。如请求项13之用于制造一显示装置之方法，其中藉由一蒸镀法及一涂布法中之任意一者形成该有机半导体层。如请求项13之用于制造一显示装置之方法，其中该等闸极线路进一步包含：在该等闸极线之末端部分处形成复数个闸极焊垫，且该等复数个资料线路进一步包含一提供于该等资料线之末端部分处之复数个资料焊垫，且其中该等资料焊垫与该资料线路之上方层形成于同一层。如请求项15之用于制造一显示装置之方法，进一步包含形成复数个闸极焊垫接触层覆盖该闸极焊垫，其中该复数个闸极焊垫接触层与该下方层在同一层。如请求项16之用于制造一显示装置之方法，进一步包含形成复数个金属层沉积在该等闸极焊垫接触层，其中该复数个金属层与该上方层在同一层。如请求项16之用于制造一显示装置之方法，其中该下方层包含氧化铟锡(ITO)及氧化铟锌(IZO)中之至少一者。如请求项16之用于制造一显示装置之方法，其进一步包含：在该等闸极焊垫接触层之该形成之前，形成一闸极焊垫接触孔，该闸极焊垫经由该闸极焊垫接触孔而暴露于该闸极绝缘层上。如请求项13之用于制造一显示装置之方法，其中该图案化该上方层及该下方层包含形成一光敏层具有一位置依附性厚度。如请求项13之用于制造一显示装置之方法，其中该闸极绝缘层之该形成包含：形成一第一闸极绝缘层，该第一闸极绝缘层包含氮化矽(SiNx)及氧化矽(SiOx)中之至少一者；且形成一第二闸极绝缘层，该第二闸极绝缘层包含一矽基聚合物、偶氮二异丁腈(AIBN)、正钛酸四丁酯(Ti(Obu)4)及丁醇中之至少一者。如请求项13之用于制造一显示装置之方法，其中藉由一喷墨沈积法形成该有机半导体层。如请求项13之用于制造一显示装置之方法，其进一步包含：于该有机半导体层之该通道区域上形成一第一钝化层，该第一钝化层包含一氟基高分子材料。如请求项23之用于制造一显示装置之方法，其进一步包含：于该第一钝化层上形成一第二钝化层，且该第二钝化层包含氧化铟锡及氧化铟锌中之至少一者。 |
