| 发明名称 | 单质硅的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单质硅的制备方法：将SiO2溶于含有碱金属或碱土金属氧化物的氯化物熔盐中，或将碱金属或碱土金属的硅酸盐溶于氯化物熔盐中，所述氯化物熔盐的温度为600-1000oC，以石墨或硅或金属为阴极、以石墨或惰性材料为阳极进行电解，使得在阴极发生硅酸根的电沉积，电沉积产物分离得到单质硅。本发明方法操作温度低、原料廉价易得、熔盐稳定、产品纯度高。可通过恒流进行控制、易于实现连续生产、电流效率高，可显著降低硅生产能耗和成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101979712A | 申请公布日期 | 2011.02.23 |
| 申请号 | CN201010567832.3 | 申请日期 | 2010.12.01 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 汪的华;尹华意;朱华;甘复兴;汪新 |
| 分类号 | C25B1/00(2006.01)I | 主分类号 | C25B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人 | 张火春 |
| 主权项 | 一种单质硅的制备方法，其特征在于：将SiO2溶于含有碱金属或碱土金属氧化物的氯化物熔盐中，或将碱金属或碱土金属的硅酸盐溶于氯化物熔盐中，所述氯化物熔盐的温度为600‑1000℃，以石墨或硅或金属为阴极、以石墨或惰性材料为阳极进行电解，使得在阴极发生硅酸根的电沉积，电沉积产物分离得到单质硅。 | ||
| 地址 | 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山 | ||