发明名称 |
荧光材料、其制造方法及发光装置 |
摘要 |
本发明提供了一种荧光材料,其包括一种由包含主晶相和引起光发射的激活剂的单一组成形成的材料,这种材料在受到主发光峰值波长位于370-460nm范围的光的激发时,表现出540-550nm波长范围的窄带发光光谱和500-600nm波长范围的宽带发光光谱。 |
申请公布号 |
CN101108965B |
申请公布日期 |
2011.02.23 |
申请号 |
CN200710137055.7 |
申请日期 |
2007.07.19 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
平松亮介;玉谷正昭;浅井博纪;大塚一昭 |
分类号 |
C09K11/79(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
C09K11/79(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
于辉 |
主权项 |
一种荧光材料,其包括:由如下通式(A)表示组成的化合物(Sra1,Bab1,Cac1,Tbv1,Euw1)2SiO4 (A)其中a1、b1、c1、v1和w1满足下面关系:a1+b1+c1+v1+w1=1 (1);0≤a1/(1‑v1‑w1)≤1 (2);0≤b1/(1‑v1‑w1)≤1 (3);0≤c1/(1‑v1‑w1)≤1 (4);0<v1≤0.15 (5);0<w1≤0.05 (6),在所述荧光材料中,Eu以Eu2+的形式存在,Tb以Tb3+的形式存在。 |
地址 |
日本东京都 |