一种用于DRAM缓存的纠错编码方法

摘要

本发明公开了一种用于DRAM缓存的纠错编码方法，包括如下步骤：(1)提高DRAM缓存的刷新周期，降低刷新频率；(2)对缓存中的数据进行编码和解码。本发明依据最易出错的比特位来设置刷新时间，使用纠错技术弥补一些错误数据，强大的纠错技术能纠正多比特位，意味着可以提高刷新时间，从而减少功耗。

主权项

一种用于DRAM缓存的纠错编码方法，其特征在于包括如下步骤：1)提高DRAM缓存的刷新周期，降低刷新频率；2)对缓存中的数据进行编码和解码，包括如下步骤：a)编码，对于缓存中数据利用BCH码进行编码，输入的数据d为K比特，输入数据d与矩阵G相乘得到一个数据编码信息u，从而将数据保存在编码中，并增加了r位检查位；b)解码，通过编码的症状S来判断错误类别，根据错误类别使用纠错方法如果S为0，则数据没有错误，如果S中的哪位为非零则该位为错误；如果只有一位错误，则用单比特位纠错方法，如果错误位数为两个以上，则用多比特位纠错方法；其中：S＝v*HT＝(u+e)*HT＝(d*G+e)*HT＝e*HT，v＝u+e，G*HT＝0，e是指错误信息位数，v表示带有错误e的编码信息。