Method for photomask plasma etching using a protected mask,申请号EP20060250437-传众专利搜索

发明名称	Method for photomask plasma etching using a protected mask
摘要
申请公布号	EP1686422(B1)	申请公布日期	2011.02.23
申请号	EP20060250437	申请日期	2006.01.26
申请人	APPLIED MATERIALS, INC.	发明人	CHANDRACHOOD, MADHAVI;KUMAR, AJAY;YAU, WAI-FAN
分类号	G03F1/00	主分类号	G03F1/00
代理机构		代理人
主权项
地址