| 发明名称 | 铜铟镓硒薄膜电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种铜铟镓硒薄膜电池，包括依次叠合的衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层、窗口层及减反膜层。该铜铟镓硒薄膜电池还包括形成于窗口层上的金属栅电极。金属栅电极包括位于减反膜层上的第一钼层，位于第一钼层上的铜层，和位于铜层上的第二钼层。上述铜铟镓硒薄膜电池具有高致密性和高导电性的金属栅电极。本发明还提供上述铜铟镓硒薄膜电池的制备方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101980368A | 申请公布日期 | 2011.02.23 |
| 申请号 | CN201010279009.2 | 申请日期 | 2010.09.09 |
| 申请人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明人 | 王晓峰 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 吴平 |
| 主权项 | 一种铜铟镓硒薄膜电池，包括依次叠合的衬底、金属背电极层、光吸收层、缓冲层、阻挡层、窗口层，其特征在于：还包括形成于该窗口层上的金属栅电极，该金属栅电极包括位于该窗口层上的第一钼层，位于该第一钼层上的铜层，和位于该铜层上的第二钼层。 | ||
| 地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 | ||