| 发明名称 | 氧化锡铟靶,其制备方法和用其制备的透明电极 | ||
| 摘要 | 本发明提供包含相对铟原子约0.001原子％至约10原子％的钙的氧化锡铟(ITO)靶，和由ITO靶制备的显示器用ITO透明电极。一种制备所述ITO靶的方法，所述方法包括：通过将氧化铟粉末、氧化锡粉末和含钙化合物粉末混合制备淤浆；通过研磨并且干燥所述淤浆，将所述淤浆粒化以制备粒化粉末；使所述粒化粉末成形以形成成形体；和将所述成形体烧结。通过所述方法制备的含钙ITO靶可以减少在溅射过程中产生的结节数量和电弧次数，从而生长出能够长时间使用的膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101231431B | 申请公布日期 | 2011.02.23 |
| 申请号 | CN200710087153.4 | 申请日期 | 2007.03.22 |
| 申请人 | 三星康宁精密素材株式会社 | 发明人 | 郑俊熙;崔畯皓;李相彻;姜信赫 |
| 分类号 | G02F1/1343(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C03C17/23(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1343(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王旭 |
| 主权项 | 一种制备氧化锡铟(ITO)靶的方法，所述方法包括：通过将氧化铟粉末、氧化锡粉末和碳酸钙粉末混合制备淤浆，其中钙的比率相对铟原子对应约0.001原子％至约10原子％；通过研磨和干燥所述淤浆，将所述淤浆粒化以制备粒化粉末；使所述粒化粉末成形以形成成形体；和将所述成形体烧结。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道龟尾市 | ||