画素结构及其制造方法

摘要

一种画素结构。基板具有第一、第二组件区。第一多晶硅图案位于第一组件区内。第一绝缘图案位于第一多晶硅图案上。第二多晶硅图案位于第二组件区内。第二绝缘图案位于第二多晶硅图案上，且第一绝缘图案与第二绝缘图案彼此分离。绝缘层覆盖第一与第二绝缘图案。第一与第二栅极位于绝缘层上。第一覆盖层覆盖第一与第二栅极。第一源极/漏极金属层位于第一覆盖层上且分别与第一多晶硅图案中的第一源极/漏极区电性连接。第二源极/漏极金属层位于第一覆盖层上分别与第二多晶硅图案中的第二源极/漏极区电性连接。第二覆盖层覆盖第一源极/漏极金属层以及第二源极/漏极金属层。画素电极位于第二覆盖层上且与第一漏极金属层电性连接。

主权项

一种画素结构，包括：一基板，其具有一第一组件区以及一第二组件区；一第一多晶硅图案，位于该第一组件区内，其中该第一多晶硅图案具有一第一源极区、一第一漏极区以及一第一信道区；一第一绝缘图案，位于该第一多晶硅图案上；一第二多晶硅图案，位于该第二组件区内，其中该第二多晶硅图案具有一第二源极区、一第二漏极区以及一第二信道区；一第二绝缘图案，位于该第二多晶硅图案上，其中该第一绝缘图案与该第二绝缘图案彼此分离；一绝缘层，覆盖该第一绝缘图案与该第二绝缘图案；一第一栅极，位于该第一信道区上方的该绝缘层上；一第二栅极，位于该第二信道区上方的该绝缘层上；一第一覆盖层，覆盖该第一栅极与该第二栅极；一第一源极金属层以及一第一漏极金属层，位于该第一覆盖层上且分别与该第一源极区以及该第一漏极区电性连接；一第二源极金属层以及一第二漏极金属层，位于该第一覆盖层上分别与该第二源极区以及该第二漏极区电性连接；一第二覆盖层，覆盖该第一源极金属层、该第一漏极金属层、该第二源极金属层以及该第二漏极金属层；以及一画素电极，位于该第二覆盖层上，且与该第一漏极金属层电性连接。