| 发明名称 | 氮化镓或氮化铝镓层的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在基底(1)上制造组成为AlxGa1-xN，其中0≤x≤0.3的氮化物的无裂纹单晶层(5)从而可在层中产生拉伸应力的方法，所述方法包括如下步骤：a)在基底(1)上形成成核层(2)，b)在成核层(2)上形成单晶中间层(3)，c)在中间层(3)上形成单晶种子层(4)，d)在种子层(4)上形成AlxGa1-xN氮化物的单晶层(5)。该方法的特征在于：中间层(3)的材料为氮化铝镓；种子层(4)的材料为AlBN化合物，其中硼含量为0至10％；种子层(4)的厚度与中间层(3)的厚度比为0.05至1；形成种子层(4)的温度比形成所述AlxGa1-xN氮化物的无裂纹单晶层(5)的温度高50至150℃。 | ||
| 申请公布号 | CN101978470A | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN200980109974.0 | 申请日期 | 2009.03.11 |
| 申请人 | 匹克吉佳国际公司 | 发明人 | H·拉尔彻 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 一种在基底(1)上制造组成为AlxGa1‑xN，其中0≤x≤0.3的氮化物的无裂纹单晶层(5)从而可在层中产生拉伸应力的方法，所述方法包括如下步骤：a)在基底(1)上形成成核层(2)，b)在成核层(2)上形成单晶中间层(3)，c)在中间层(3)上形成单晶种子层(4)，d)在种子层(4)上形成AlxGa1‑xN氮化物的单晶层(5)，其特征在于：‑中间层(3)的材料为氮化铝镓；‑种子层(4)的材料为AlBN化合物，其中硼含量为0至10％；‑种子层(4)的厚度与中间层(3)的厚度比为0.05至1；‑形成种子层(4)的温度比形成所述AlxGa1‑xN的无裂纹单晶层(5)的温度高50至150℃。 | ||
| 地址 | 法国贝南 | ||