| 发明名称 | 利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法，该方法包括：A、在基片上涂布S18系列的光刻胶；B、将带有光刻胶的基片在显影液中浸泡；C、在低温下烘烤；D、曝光；E、在较高温度下烘烤；F、显影。本发明提供了一种工艺简单，无毒、无害溶液处理的利用S18系列光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法，提高了光刻的精度和倒梯形侧沿的可控性。 | ||
| 申请公布号 | CN101562129B | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN200810104223.7 | 申请日期 | 2008.04.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 金智 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法，其特征在于，该方法包括：A、在基片上涂布S18系列的光刻胶；B、将带有光刻胶的基片在显影液中浸泡，显影液含有2％的四甲基氢氧化铵，不含有氯苯；C、在低温下烘烤；D、曝光；E、在较高温度下烘烤；F、显影。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||