| 发明名称 | 掺杂贵金属的In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SnO<sub>2</sub>多孔道结构气敏材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种掺杂贵金属的多孔道结构In2O3/SnO2气敏材料的制备方法。将市售In2O3、SnO2按4∶1或7∶3或3∶2的比例和贵金属Pt或Pd或Ag粉在钢模中压制成素坯，然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结，最终获得纳米贵金属掺杂多孔道结构In2O3/SnO2气敏材料，贵金属Pt或Pd或Ag粉的加入量占In2O3和SnO2总量的0.05％；原位烧结生长氧气氛烧结条件：升温速率50-500℃/h；保温分为两段，第一段温度范围600-700℃，第二段温度范围1250-1450℃；保温时间1-5小时；氧气流量3-8L/min。该方法通过多孔道结构增加比表面积以提高气敏性，和通过纳米贵金属来提高气敏材料的选择性。本发明具有原料准备简单、成本低、易控制、生产清洁等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN101973759A | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN201010274173.4 | 申请日期 | 2010.09.07 |
| 申请人 | 昆明理工大学 | 发明人 | 周晓龙;曹建春;陈敬超;阮进;于杰;杜焰;沈黎;吴大平;熊大民 |
| 分类号 | C04B35/01(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/01(2006.01)I |
| 代理机构 | 昆明正原专利代理有限责任公司 53100 | 代理人 | 金耀生 |
| 主权项 | 一种掺杂贵金属的In2O3/SnO2多孔道结构气敏材料的制备方法，其特征在于：将市售In2O3、SnO2按4∶1或7∶3或3∶2的比例和贵金属Pt或Pd或Ag粉在钢模中压制成素坯，然后将素坯装入氧气氛烧结炉中进行固相烧结，最终获得纳米贵金属掺杂多孔道结构In2O3/SnO2气敏材料，贵金属Pt或Pd或Ag粉的加入量占In2O3和SnO2总量的0.05％；原位烧结生长氧气氛烧结条件：升温速率50‑500℃/h；保温分为两段，第一段温度范围600‑700℃，第二段温度范围1250‑1450℃；保温时间1‑5小时；氧气流量3‑8L/min。 | ||
| 地址 | 650093 云南省昆明市五华区学府路253号 | ||