| 发明名称 | 电荷中和装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种电荷中和装置，其能够提供5eV水平或者更低优选地为2eV水平的低能量电子，从而消除甚至是前线装置中的离子植入的充电和电子导致的损害，并且适用于大尺寸的基片(113)。电荷中和装置包括微波发生装置(104)；等离子发生装置(101)，其利用微波发生装置产生的微波产生电子等离子；和接触装置(107)，其使等离子发生装置产生的电子等离子与包括离子束的射束等离子区域接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1969365B | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200580019295.6 | 申请日期 | 2005.05.24 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 伊藤裕之;作道训之;佐佐木雄一朗;水野文二 |
| 分类号 | H01J37/20(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H05H1/24(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 王冉;王景刚 |
| 主权项 | 一种电荷中和装置，包括：微波发生单元；等离子发生单元，其利用微波发生单元产生的微波产生电子等离子；接触单元，其使等离子发生单元产生的电子等离子与包括离子束的射束等离子区域接触；以及设置在接触单元中的偏压线，从电源经由所述偏压线提供控制偏压的电势，所述电势用于控制供应到离子束中的电子等离子的数量。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||