| 发明名称 | 闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法，适用于闪存器件的多晶字线及连接的双二极管结构的制作，包括：在P型硅衬底上形成N阱、深层N阱和P阱；在P型硅衬底上形成浅沟槽隔离STI；在STI上形成多晶字线，其中奇数多晶字线顶端成圣诞树形状，通过上层的接触孔经金属层与双二极管结构连接；在STI中通过离子注入，先后在P型源极区和N阱之间形成P型轻掺杂区、P型源极区和P型漏极区以及N型栅极区，构成双二极管结构；对奇数多晶字线、P型源极区、N型栅极区和P型漏极区形成上层接触孔后，其中奇数多晶字线和P型源极区分别通过上层接触孔与同一金属层连接。该方法保证了所制造的闪存器件在应用端具有更好的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101969049A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200910055433.6 | 申请日期 | 2009.07.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 于绍欣;陈建利;韩永召;郭佳衢;蔡信裕 |
| 分类号 | H01L21/8249(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8249(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种闪存器件的多晶字线顶端区域的制作方法，适用于闪存器件的多晶字线及连接的双二极管结构的制作，包括：在P型硅衬底上形成N阱、深层N阱和P阱；在P型硅衬底上形成浅沟槽隔离STI；在STI上形成多晶字线，其中奇数多晶字线顶端成圣诞树形状，通过上层的接触孔经金属层与双二极管结构连接；在STI中通过离子注入，先后在P型源极区和N阱之间形成P型轻掺杂区、P型源极区和P型漏极区以及N型栅极区，构成双二极管结构；对奇数多晶字线、P型源极区、N型栅极区和P型漏极区形成上层接触孔后，其中奇数多晶字线和P型源极区分别通过上层接触孔与同一金属层连接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||