发明名称 半晶状聚合物之表面修饰法
摘要
申请公布号 TW124831 申请公布日期 1989.12.11
申请号 TW077102890 申请日期 1988.04.30
申请人 孟尼苏泰矿务及制造公司 发明人 山缪.史密斯;文诺.洪莫.威尔森;安卓.约翰.欧德克拉克;亚瑟.艾伦.艾蒙特;约瑟夫.哈瑞斯.殷奎蒙那;马德兰.派丝瑞克.辛比屈;道格拉斯.史考特.杜恩
分类号 C08G63/183;C08J3/28 主分类号 C08G63/183
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1﹒一种聚合物性物品包括一半晶状聚合物有 在其表面之面积此上有此相同聚合物之5 ─10,000nm之厚度是似非晶状态 。 2﹒根据申请专利范围第1项之物品,在其中 该表面之1─100%是似非晶状及此似 非晶状面积之原子/原子,氧/碳比是与 在此半晶状聚合物中者相同或比其较小。 3﹒根据申请专利范围第1项之物品,在其中 该面积有10─1,000nm之厚度及 包括该表面之自5至100%。 4﹒根据申请专利范围第1项之物品,在其中 该半晶状聚合物是以一层、片、膜或涂层 之形态。 5﹒根据申请专利范围第1项之物品,在其中 该面积包括该表面之30至100%及此 似非晶状面积之原子/原子,氧/碳比是 与此半晶状聚合物中者相同或比其较小。 6﹒根据申请专利范围第4项之物品,在其中 该面积包括该表面之80至100%。 7﹒根据申请专利范围第1项之物品,在其中 此似非晶状面积有5─10,000nm 之厚度自该聚合物性物品之表面开始。 8﹒根据申请专利范围第6项之物品,在其中 此似非晶状面积有5─10,000nm 之厚度及此似非晶状面积之原子/原子, 氧/碳比是与在此半晶状聚合物中者相同 或比其较小。 9﹒根据申请专利范围第1项之物品,在其中 此似非晶状面积有10─1,000nm 之厚度。 10﹒根据申请专利范围第7项之物品,在其中 此似非晶状面积有介于20及500nm 之厚度。 11﹒根据申请专利范围第2项之物品,在其中 此似非晶状面积有介于20及500nm 之厚度。 12﹒根据申请专利范围第6项之物品,在其中 该似非晶状面积有一厚度自5至10,0 00nm之范围及此似非晶面积之原子/ 原子,式/碳比是与此半晶状聚合物中者 相同或比其较小。 13﹒根据申请专利范围第1项之物品,在其中 该似非晶状面积有一厚度自20至500 nm之范围及有一光密度,在没有染料或 颜料之情况下,于电磁光谱之能见界城中 异于此半晶状聚合物者在0﹒1以下。 14﹒根据申请专利范围第6项之物品,在其中 该似非晶状面积有一厚度自20至500 nm之范围及有一光密度,在没有染料或 颜料之情况下,电磁光谱之能见界城中异 于此半晶状聚合物者在0﹒1以下及此似 非晶状面之原子/原子,氧/碳比是与此 半晶状聚合物中者相同或比其较小。 15﹒根据申请专利范围第7项之物品,在其中 该半晶状聚合物含一种吸收辐射之染料或 颜料0﹒05%重量。 16﹒根据申请专利范围第1─15项中任一项 之物品,在其中该半晶状聚合物包括选自 聚对苯二甲酸二乙酯及聚氯乙烯。 17﹒根据申请专利范围第16项之物品,在其 中此表面是光滑及对550nm辐射于入 射角介于80及90有9%或低于9% 之反射。 18﹒一种聚合物性物品包括一半晶状聚合物包 括在其表面该表面之面积有自该表面之顶 5─10,000nm之厚度,此面积之 特点是有此聚合物之短程排列与该聚合物 之非晶状态一致及有此聚合物之长程排列 与该聚合物之半晶状态一致。 19﹒一种方法供修饰半晶状聚合物之表面此方 法包括以受该组合物吸收之辐射照一半晶 状聚合物组合物之表面,控制该辐射照射 之强度及流通是以此半晶状聚合物之该表 面被熔融及切除或蒸发在该聚合物被熔融 之界域内是在该聚合物之总重量之1重量 %以下,及容许该熔蚀之聚合物以含在该 表面生成一非晶状聚合物性面积之速率冷 却。 20﹒根据申请专利范围第19项之方法,在其 中熔融发生至10─1,000nm之深 度及熔融发生该表面之30至100%之 面积。 21﹒根据申请专利范围第19或20项之方法 ,在其中该辐射是选自紫外线辐射,能见 辐射及红外线辐射此群。 22﹒根据申请专利范围第19或20项之方法 ,在其中染料或头料存在于该聚合物中以 吸收该辐射。 23﹒一方法供修饰半晶状聚合物之表面此方法 包括以受该组合物吸收之辐射照射一半晶 状聚合物表面之表面一次或多次照射,及 控制该辐射照射之强度及流通是以该半晶 状聚合物之该表面被熔融及充份迅速冷却 是以在此似非晶状表面内维持由该熔融及 冷却生成之某些分子排列。 24﹒根据申请专利范围第23项之方法,在其 中该表面之表面面积之80至100%是 变成似非晶状至自20至250nm之深 度及在其中该半晶状聚合物包括一聚合物 选自聚对苯二甲酸二乙酯及聚氯乙烯。 25﹒根据申请专利范围第24项之方法,在其 中该表面是变成似非晶状是以在该表面已 经变成似非晶状之后该聚合物之电磁光谱 之能见界域内之光密度,不考虑在该半晶 状聚合物内染料或颜料之光影响,是在表 面在被变成似非晶状之前之光密度之0﹒ 1之内。 26﹒根据申请专利范围第19项之方法,在其 中该表面是变成似非晶状是以在该表面已 经变成似非晶状之后该聚合物之电磁光谱 之能见界域内之光密度,不考虑在该半晶 状聚合物内染料或颜料之光影响,是在表 面在被变成似非晶状之前之光密度之0﹒ 1之内。 27﹒根据申请专利范围第19,20,23, 24或25项之方法,在其中此似非晶状 面积之原子/原子,氧/碳比是与此半晶 状聚合物中者相同或比其较小。 28﹒根据申请专利范围第19,20,23, 24或25项之方法,在其中使用之辐射 是紫外线照射。 29﹒根据申请专利范围第27项之方法,在其 中于照射期间此聚合物是加热至30℃以 上。 30﹒根据申请专利范围第19,20,23, 24或25项之方法,在其中于照射后此 具有似非晶面积之表面是受电晕放电处理 。 31﹒根据申请专利范围第19,20,23, 24或25项之方法,在其中照射是由1 00微秒以下之脉动。 32﹒根据申请专利范围第19项供修饰半晶状 聚合物之表面之一种方法,该方法包括暴 露该表面层至一种物料其促进结晶于该似 非晶状面积内或暴露底下之半晶状聚合物 。 33﹒根据申请专利范围第23项供修饰半晶状 聚合物之表面之一种方法,该方法再包括 暴露该表面层至一种物料其促进结晶于该 似非晶面积内或暴露底下之半晶状聚合物 。 33﹒根据申请专利范围第32或33项之方法 在其中熔融发生在该表面之至少30至1 00%之面积至10─1,000nm之 深度及该聚合物包括聚对苯二甲酸二乙酯 及在其中该辐射是选自紫外线辐射,能见 辐射及红外线辐射。 35﹒一种方法供降低聚合物表面之动及静摩擦 系数包括提供依照申请专利范围第1项之 聚合物性物品及然后暴露该表面至一种物 料其促进结晶在该面积内。 36﹒根据申请专利范围第1至15项中任一项 有粘合剂在该表面之聚合物性物品之一种 方法,该方法包括在热,压力或其他施用 之能量足以造成该粘合剂至该其他表面之 粘合之条件下接触该粘合剂物料至另一表 面。 37﹒根据申请专利范围第1至15项中任一项 之一种聚合物性物品具有一连续膜包括一 有机聚合物在该表面及一种粘合剂粘着至 该有机聚合物。 38﹒根据申请专利范围第37项之物品在其中 该半晶状聚合物含塑化剂及该有机聚合物 比该半晶状聚合物较不易被该塑化剂透穿 。 39﹒根据申请专利范围第38项之物品在其中 该半晶状聚合物包括聚氯乙烯及该粘合剂 是一种压感性粘合剂。 40﹒根据申请专利范围第39项之物品在其中 该压感性粘合剂包括一聚丙烯酸酯或聚胺 酯。 41﹒一种方法供热封接两物品在一起,该方法 包括提供一种依照申请专利范围第1至1 5项中任一项之聚合物品,及然后加热该 聚合物性物品之表面当其与另一物品接触 。 42﹒一种方法供热封接物品在一起,该方法包 括提供一种依照申请专利范围第1至15 项中任一项之聚合物性物品,及然后加热 该聚合物性物品之至少一表面当其与另一 物品接触,在其中该加热是至温度高于此 聚合物之Tg及似非晶状聚合物之该面积 在冷却时结晶。 43﹒根据申请专利范围第1至15项中任一项 之一种聚合物性物品该表面有一影像方面 不连续分布之物料于该表面之一部份其提 供0﹒2─3﹒0之传送或反射光密度。 44﹒根据申请专利范围第43项之物品在其中 此物料是选自此群包括油墨,色调剂,染 料及颜料。 45﹒一种方法供修饰半晶状聚合物之表面此方 法包括以被该组合物吸收之插射照射半晶 状聚合物组合物之表面,控制该辐射之强 度及流通是以半晶状聚合物在该表面上被 熔取及切除或挥发是此聚合物之总重量之 0﹒1重量%以下,及容许该熔融之聚合 物以含在该表面上生成一似非晶状聚合物 性面积之速率冷却,及粘着一种物料至该 表面其提供0﹒2─3﹒0之传送或反射 光密度。 46﹒一种聚合物性物品包括依照申请专利范围 第1至15项中任一项之一种半晶状聚合 物或共聚物合一种迁移性成份及粘着比该 半晶状聚合物或共聚物较不易受该迁移性 成份透穿之一第二聚合物至该表面。 47﹒根据申请专利范围第46项之物品在其中 该聚合物或共聚物包括聚氯乙烯。 48﹒根据申请专利范围第46项之物品在其中 该聚合物或共聚物包括聚氯乙烯及该迁移 性物料包括一种塑化剂。 49﹒一种方法供降低迁移性物料自包括一半晶 状聚合物之膜之迁移,该方法包括以被该 组合物吸收之辐射照射一半晶状聚合物组 合物之表面修饰此半晶状聚合物之表面, 控制该辐射之强度及流通是以半晶状聚合 物在该表面上被熔融及切除或挥发是在此 熔融面积此聚合物之总量之0﹒1重量% 以下,及容许该熔融之聚合物以含在该表 面生成一似非晶状聚合物性面积之速率冷 却,及然后以比该组合物较不易被该组合 物中之该迁移性物料透穿之一种聚合物涂 覆至该表面。 50﹒根据申请专利范围第49项之方法在其中 熔融发生至5─10,000nm之深度 及该聚合物包括聚氯乙烯。 51﹒根据申请专利范围第49项之方法在其中 熔融发生至10─1,000nm之深度 及该聚合物包括聚氯乙烯及该迁移性物料 包括一种塑化剂。 52﹒根据申请专利范围第49项之方法在其中 该第二聚合物包括一种丙烯酸性聚合物或 聚胺酯。 53﹒根据申请专利范围第1至15项中任一项 之一种聚合物性物品在其中该半晶状聚合 物是一种半晶状聚合物或共聚物合一种迁 移性成份在其表面有面积有厚度5─10 ,000nm之此相同聚合物于非晶状, 切除的,或似非晶状态及粘着比该半晶状 聚合物或共聚物技不易被该塑化剂透穿之 一第二聚合物至该表面。 54﹒根据申请专利范围第53项之物品在其中 该聚合物或共聚物包括聚氯乙烯及该迁移 性物料包括一种塑化剂。
地址 美国
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