| 发明名称 | 有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在基板上形成栅极线；在栅极线上形成栅绝缘层；在约20至35℃的温度沉积ITO层；蚀刻ITO层从而在栅绝缘层上形成数据线和漏极电极；以及在数据线、漏极电极、以及栅绝缘层上形成有机半导体。 | ||
| 申请公布号 | CN1790681B | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200510124736.0 | 申请日期 | 2005.11.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 柳旻成;徐宗铉;洪雯杓 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L27/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在基板上形成栅极线；在栅极线上形成有机栅绝缘层；在20至35℃的温度沉积ITO层；蚀刻ITO层从而在有机栅绝缘层上形成数据线和漏极电极；在高于180℃的温度退火所述数据线和所述漏极电极；以及在数据线、漏极电极、以及有机栅绝缘层上形成有机半导体，其中所述退火后的数据线和所述退火后的漏极电极包括准晶体ITO。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||