发明名称 |
利用受控传播的膜层转移 |
摘要 |
可以通过提供具有表面区和位于表面区之下预定深度处的解理区来形成材料膜。在将该膜从衬底解理的过程中,解理区中的剪切被严密控制,以通过KII或能量传播控制实现受控的传播。根据特定实施例,通过经由暴露于电子束辐射的硅的隔热加来将面内剪切分量(KII)热保持在零附近。根据其他的实施例,表面加热源结合注入层用于通过按解理顺序引导断裂传播。 |
申请公布号 |
CN101969046A |
申请公布日期 |
2011.02.09 |
申请号 |
CN200910253027.0 |
申请日期 |
2009.08.27 |
申请人 |
硅源公司 |
发明人 |
F·J·亨利 |
分类号 |
H01L21/78(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/78(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
刘倜 |
主权项 |
一种从衬底解理材料膜的方法,该方法包括:提供具有面的衬底以及位于该正面之下一深度处的应力层;在该应力层的邻近区域内发起解理;施加外部能量来以受控的方式来利用该应力层传播解理,其中在该应力层之上的传播受KII因子的支持,但是在能量方面不能被支持,使得该应力层用作对在该深度之下传播的阻挡物。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |