| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体装置，是以常断路形式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。提供一种半导体装置，其具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、对所述通道层供给电子的电子供给层、形成在与所述电子供给层的所述通道层相对向的面的相反面的含有氮的3-5族化合物真性或n形的半导体层、以及与所述半导体层接触而形成的，或者在与所述半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101971307A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200980108716.0 | 申请日期 | 2009.03.18 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 佐泽洋幸;西川直宏;栗田靖之;秦雅彦 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具有，3‑5族化合物的半导体层、3‑5族化合物半导体的通道层、设置在所述半导体层和所述通道层之间的、对所述通道层供给载流子的载流子供给层，以及，在所述半导体层上设置的控制电极。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||