阴离子型聚矽氧界面活性物质及其制造方法

摘要

本发明系有关一种阴离子型聚矽氧界面活性物质，其特征为以一般式（Ｉ）：□□（在此Ｒ１系碳数 1 ～20之不取代或以卤素取代之１价烃基或三烷基矽烷氧基，各Ｒ１可以互为相同亦可为不相同，Ｒ２系氢原子或碳数１～10之不取代或以羟基取代之２价烃基或该羟基中之1/2碳被取代为氧之基，Ｍ系Ａ族硷金属或NR3R4R5（Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５系分别为氢或碳数１～20之１价烃基，Ｒ３，Ｒ４及Ｒ５可互为相同或不同），ａ系０≦ａ≦20之数）所表示阴离子型聚矽氧界面活性物质。

主权项

1.一种阴离子型聚矽氧界面活性物质,其特征为以 一般式 (Ⅰ)(在此R1系碳数1-10之不取代或以卤素取代之— 价烃 ,各R1可以互为相同亦可为不相同,R2系氢原子或碳 数1 -10之不取代或以羟基取代之二价烃基或该烃基中 之1/2 碳被取代为氧之基,M系A族硷金属或NR3R4R5(R3,R4,R5 系分别为氢或碳数1-20之—价烃基,R3,R4及R5可互为 相同或不同),a系0≦a≦20之数)所表示阴离子型聚 矽氧 界面活性物质。2.一种如申请专利范围第1项之阴 离子型聚矽氧界面活性 物质之制造方法,其特征为在铂触媒下,使一边末 端上具 有Si—H结合之有机基氢基聚矽氧烷,与具有1个乙 烯性不 饱和结合及1个环氧基之环氧化合物予以反应,得 到末端 具有环氧基之有机基聚矽氧烷,继而使所得机基聚 矽氧烷