GaN系半导体装置

摘要

提供一种GaN系半导体装置，其通态电阻低、反偏压的电压外加时的漏电流非常小，而且耐压特性非常优异，其结构具备：III-V族氮化物半导体层，其至少包含1个带隙能量不同的III-V族氮化物半导体的异质结结构；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面；第二阳极电极，其以肖特基结合配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面并与所述第一阳极电极电连接，并且形成比所述第一阳极电极形成的肖特基势垒更高的肖特基势垒；及绝缘保护膜，其与所述第二阳极电极接触，并配置在所述III-V族氮化物半导体层的表面。

主权项

一种GaN系半导体装置，其特征是，具备：III‑V族氮化物半导体层，所述III‑V族氮化物半导体层至少包含1个异质结结构，所述异质结结构由下层和上层形成，其中，所述下层由第一III‑V族氮化物半导体构成，所述上层由带隙能量比所述第一III‑V族氮化物半导体大的第二III‑V族氮化物半导体构成；第一阳极电极，其以肖特基结合配置在所述上层的表面；第二阳极电极，其以肖特基结合配置在所述上层的表面并与所述第一阳极电极电连接，并且形成比所述第一阳极电极形成的肖特基势垒更高的肖特基势垒；阴极电极，其形成在所述上层的表面，与所述第二阳极电极隔离；以及绝缘保护膜，其与所述第二阳极电极及所述阴极电极接触，并配置在所述III‑V族氮化物半导体层的表面，所述第一阳极电极及所述第二阳极电极的配置处的所述上层的厚度比非配置处的所述上层的厚度薄。