| 发明名称 | 半导体制作工艺 | ||
| 摘要 | 一种半导体制作工艺。提供基底，且基底上已形成有介电层。接着，于介电层中形成内连线结构，其中内连线结构的材料包括铜。于介电层上形成金属层，并图案化金属层，以形成焊垫。进行退火步骤，其中退火步骤所使用的气体源包括浓度为50％-90％的氢气。 | ||
| 申请公布号 | CN101969041A | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200910161268.2 | 申请日期 | 2009.07.28 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 方俊杰;陈柏荣;郭聪敏 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种半导体制作工艺，包括：提供基底，该基底上已形成有介电层；于该介电层中形成内连线结构，该内连线结构的材料包括铜；于该介电层上形成金属层；图案化该金属层，以形成焊垫；以及进行退火步骤，其中该退火步骤所使用的气体源包括浓度为50％‑90％的氢气。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||