| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。本发明所提供的半导体器件包括有源区以及浅沟槽隔离区，其中所述有源区包括源极区域、漏极区域以及栅极区域，并且所述栅极区域上方布置有多晶硅栅极，其中在沿着所述半导体器件的多晶硅栅极的宽度方向上，浅沟槽隔离区的侧壁的轮廓是不平坦的。由于漏电流是沿着浅沟槽隔离区侧壁的沟道产生的，所以本发明能够通过使浅沟槽隔离区侧壁的漏电路径加长，从而减小漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101964356A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN201010519477.2 | 申请日期 | 2010.10.25 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡志远;曹子贵 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括有源区以及浅沟槽隔离区，其中所述有源区包括源极区域、漏极区域以及栅极区域，并且所述栅极区域上方布置有多晶硅栅极，其特征在于，在沿着所述半导体器件的多晶硅栅极的宽度方向上，浅沟槽隔离区的侧壁的轮廓是不平坦的。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||