| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，该半导体层包括一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括各向同性或沿一固定方向取向或不同方向取向排列的多个碳纳米管，所述碳纳米管薄膜中的碳纳米管与碳纳米管薄膜的表面成一夹角α，其中，α大于0度且小于等于15度。 | ||
| 申请公布号 | CN101582446B | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN200810067161.7 | 申请日期 | 2008.05.14 |
| 申请人 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 发明人 | 刘长洪;姜开利;李群庆;范守善 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其特征在于，该半导体层包括一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括各向同性或沿一固定方向取向或不同方向取向排列的多个碳纳米管，所述碳纳米管薄膜中的碳纳米管之间通过范德华力相互吸引结合，所述碳纳米管薄膜通过碾压一碳纳米管阵列而获得，根据碾压碳纳米管阵列时所施加压力的不同，所述碳纳米管薄膜中的碳纳米管与碳纳米管薄膜的表面成一夹角α，其中，α大于等于0度且小于等于15度。 | ||
| 地址 | 518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 | ||