| 主权项 |
1. 一种超大型积体电路形成金属矽化物接面MOS场效电晶体的制程,其步骤包含:形成第一型井区于基板上;沈积一复晶矽层;形成高浓度第二型杂质矽层于基底中;及该复晶矽层系作为该MOS场效电晶体形成金属矽化物时与金属之反应层。2. 如申请专利范围第1项之制程,其中,上述之形成高浓度第二型杂质矽层于基底中的步骤之后,更包含下列步骤:上光阻及显影,系用以定义闸极区;蚀刻该复晶矽层与该高浓度第二型杂质矽层,以形成源、汲极区;去该光阻;形成闸极氧化物层;沈积闸极复晶矽层;上闸极光阻;蚀刻该闸极复晶矽层以形成闸极;沈积一绝缘物层;乾蚀刻该绝缘物层,系用以得闸极边墙阻隔物;沈积一金属层;进行快速高温热处理,用以使该金属层与该闸极和该复晶矽层反应形成金属矽化物;选择性蚀刻该闸极边墙阻隔物上残留之该金属层,以形成闸、源和汲极金属矽化物接触面。3. 如申请专利范围第1项之制程,其中,上述之形成高浓度第二型杂质矽层于基底中的步骤,系沈积具高浓度第二型杂质之复晶矽层,再经温度800℃至850℃将该高浓度第二型杂质驱入至基底而成。4. 如申请专利范围第1项之制程,其中,上述之形成高浓度第二型杂质矽层于基底中步骤,系植入高浓度第二型杂质至复晶矽层中,再经温度800℃至850℃将该高浓度第二型杂质驱入至基底而成。5. 如申请专利范围第1项之制程,其中,上述之形成高浓度第二型杂质矽层于基底中步骤,系掺杂高浓度第二型杂质化合物至复晶矽层中,再经温度800℃至850℃将该高浓度第二型杂质驱入至基底而成。6. 如申请专利范围第1项之制程,其中,上述之第一型为P型,该第二型为N型。7. 如申请专利范围第5项之制程,其中,上述之第一型为P型,第二型为N型,及该N型杂质化合物为POCl@ss3。8.如申请专利范围第5项之制程,其中,上述之第一型为N型,第二型为P型,及该P型杂质化合物为BBr@ss3。9.如申请专利范围第2项之制程,其中,上述之绝缘物为氧化矽与氮化矽二者之一。10. 如申请专利范围第1项之制程,其中,上述之金属为钛或镍。11. 一种超大型积体电路形成金属矽化物接面MOS场效电晶体的制程,其步骤包含:形成第一型井区于基板上;植入高浓度第二型杂质于基底以形成高浓度第二型杂质区;沈积一复晶矽层;及该复晶矽层系作为该MOS场效电晶体形成金属矽化物时与金属之反应层。12. 如申请专利范围第11项之制程,其中,上述之沈积一复晶矽层的步骤之后,更包含下列步骤:上第一光阻及显影,系用以定义闸极区;蚀刻该复晶矽层与该高浓度第二型杂质区,以形成源、汲极区;去该第一光阻;形成闸极氧化物层;沈积闸极复晶矽层;上闸极光阻;蚀刻该闸极复晶矽层以形成闸极;沈积一绝缘物层;乾蚀刻该绝缘物层,系用以得闸极边墙阻隔物;沈积一金属层;进行快速高温热处理,用以使该金属层与该闸极和该复晶矽层反应形成金属矽化物;选择性蚀刻该闸极边墙阻隔物上残留之该金属层,以形成闸、源和汲极金属矽化物接触面。13. 如申请专利范围第11项之制程,其中,上述之第一型为P型,该第二型为N型。14. 如申请专利范围第12项之制程,其中,上述之绝缘物为氧化矽或氮化矽。15. 如申请专利范围第11项之制程,其中,上述之金属为钛或镍。16. 一种超大型积体电路MOSFET元件结构,包含:—第一型井区,系用以作为该MOSFET元件之建构基底;—第一第二型浓掺杂区,系用作为该MOSFET元件的汲极;—第二第二型浓掺杂区,系用以作为该MOSFET元件的源极,及与该第一第二型浓掺杂区于同一水平位置相隔设置;—复晶矽/金属接触复合层,形成于该第一及第二第二型浓掺杂区之上,系由一段复晶矽层及一段金属反应而成;—闸极氧化物层,形成于该第一与第二第二型浓掺杂区之间,并且两端延伸至该复晶矽/金属接触复合层之复晶矽层上方;—闸极,形成于该闸极氧化物之上;—闸极边墙阻隔物,形成于该闸极及该闸极氧化物层之两侧;—闸极金属接触,形成于该闸极之上部。17. 如申请专利范围第16项之元件结构,其中,上述之第一型为P型,第二型为N型。18. 如申请专利范围第16项之元件结构,其中,上述之闸极金属接触及该复晶矽/金属接触复合层之金属接触层的材质为金属矽化物,及上述之金属矽化物系为矽化钛或矽化镍。19. 如申请专利范围第16项之元件结构,其中,上述之复晶矽/金属接触复合层之厚度为500至1500埃。20. 如申请专利范围第16项之元件结构,其中,上述之闸极边墙阻隔物构成物质为二氧化矽或氮化矽。图示简单说明:第1a至1d图为显示实施习用之ULSI MOSFET制程技术,各阶段完成后之元件剖面结构图。第2至7图为显示实施本发明之ULSI MOSFET制程技术,各 |
