| 主权项 |
1. 一种真空处理装置,其特征为包括:使用处理气体处理被处理体之许多真空处理室;连接于许多真空处理室,而在减压周围环境下进行对处理室之被处理体之搬入及搬出之真空处理室;用来开闭许多真空处理室与真空搬送室间之开闭装置;及将包含C1F@ss3气体之清洁气体供给于真空处理室或真空搬送室中之至少一个之清洁气体供装置,将清洁气体供给于开启开闭装置而成为连通之各室中,将之清洁之真空处理装置。2. 如申请专利范围第1项之装置,其中又包括:连结于真空搬送室之真空预备室;收容被处理体之被处理体收容室;及设在真空预备室与被处理体收容室之间,在此间搬送被处理体之第2搬送室。3. 如申请专利范围第2项之装置,其中又包括从各室中之至少一个室将清洁气体排出之排气装置。4. 如申请专利范围第1项之装置,其中清洁气体供给装置从至少一个真空处理室供给清洁气体,使其扩散至可连通于该处理室之搬送室。5. 如申请专利范围第1项之装置,其中真空处理室为对被处理体实施成膜装置之成膜室。6. 一种真空处理装置之清洁方法,该装置包括:使用处理气体处理被处理体之许多真空处理室;连结于许多真空处理室而在减压周围环境下对真空处理室搬入及搬出被处理体之真空搬送室;及用来开闭许多真空处理室与真空搬送室间之开闭装置,其特征为包括:使开闭装置开启之过程;将包含C1F@ss3气体之清洁气体供给于各处理室及搬送室中之至少一个室之过程;及将清洁用气体扩散至由开闭装置连通之各室之过程。7. 如申请专利范围第6项之方法,其中处理装置又包括:连结于搬送室之真空预备室;收容被处理体之被处理体收容室;设在真空预备室与被处理体收容室之间,在此间搬送被处理体之第2搬送室。8. 如申请专利范围第6项之方法,其中又包括从各室中之至少一个室将清洁气体排气之过程。9. 一种真空处理装置,其特征为包括:使用处理气体处理被处理体之许多真空处理室;连结于许多真空处理室,对各真空处理室搬入及搬出被处理体之真空搬送室;设在各真空处理室及真空搬送室之清洁气体供给部;设在各真空处理室及真空搬送室之排气部;经由清洁气体供给部个别的将包含C1F@ss3之清洁气体供给于各室之清洁气体供给装置;及经由排气部从各室个别的排出清洁气体之排气装置。10. 如申请专利范围第9项之装置,其中又包括用来开闭许多真空处理室与真空搬送室之间之开闭装置,在各开闭装置关闭之状态下,从清洁气体供给装置将清洁气体经由清洁气体供给部供给于各室。11. 如申请专利范围第9项之装置,其中又包括:连结于真空搬送室之真空预备室;收容被处理体之被处理体收容室;及设在真空预备室与被处理体收容室之间,在此间搬送被处理之第2搬送室。12. 如申请专利范围第9项之装置,其中真空处理室为对被处理体实施成膜装置之成膜室。13. 一种真空处理装置之清洁方法,该真空处理装置包括:使用处理气体处理被处理体之许多真空处理室;连结于各真空处理室,对各真空处理室搬入及搬出被处理体之真空搬送室;及用来开闭许多真空处理室与真空搬送室间之开闭装置,其特征为包括:将开闭装置关闭之过程;将包含C1F@ss3之清洁气体个别的供给于各室之过程,利用该清洁气体个别的清洁各室。14. 如申请专利范围第13项之方法,其中真空处理装置又包括:连结于真空搬送室之真空预备室;收容被处理体之被处理体收容室;及设在真空预备室与被处理体收容室之间,在其间搬送被处理体之第2搬送室。15. 如申请专利范围第13项之方法,其中又包括从各室中之至少一个室排出清洁气体之过程。16. 一种真空处理装置之清洁方法,该装置包括:使用处理气体处理被处理体之许多真空处理室;连结于许多真空处理室,对各真空处理室搬入及搬出被处理体之真空搬送室;及用来开闭许多真空处理室与真空搬送室之间之开闭装置,其特征为包括:利用开闭装置在真空处理装置内形成许多空间之过程;及将包含具有配合各空间设定之浓度之C1F@ss3气体之清洁气体供给于各空间之过程。17.一种处理装置,其特征为包括:使用处理气体处理被处理体之许多真空处理室;连结于许多真空处理室,对真空处理室搬入及搬出被处理体之真空搬送室;将装置内开放于大气之开放装置;将包含C1F@ss3之清洁气体供给于各处理室及搬送室之清洁气体供给装置;将清洁气体排气之排气装置,在利用清洁气体完成清洁后,检测气体中之C1与F之浓度之浓度检测装置;及当浓度检测装置之检测値成为设定値以下时,将开放指令输出于开放装置之控制装置。18. 如申请专利范围第17项之装置,其中又包括:连结于真空搬送室之真空预备室;收容被处理体之被处理体收容室;及设在真空预备室与被处理体收容室之间,在此间搬送被处理体之第2搬送室。19. 一种真空处理装置之处理方法,该装置包括:使用处理气体处理被处理体之许多真空处理室;连结于许多真空处理室,对各真空处理室搬入及搬出被处理体之真空搬送室;及用来开闭许多真空处理室与真空搬送室之间之开闭装置,其特征为包括:至少使一个真空处理室与真空搬送室之间之开闭装置选择性的成为关闭之过程;至少在一个真空处理室内对被处理体以处理气体进行处理之过程;及在进行上述处理之过程之同时,将包含C1F@ss3之清洁气体供给于其他各室而进行清洁之过程。20. 一种真空处理装置之清洁方法,该装置包括:使用处理气体被处理体之许多真空处理室;及连结于许多真空室处理室,各真空处理室搬入及搬出被处理体之真空搬送室,其特征为包括:掌握各真空处理室中需要清洁为止之被处理体之处理片数之过程;及当处理片数到达该片数时,将包含C1F@ss3之清洁气体供给于各室而进行清洁之过程。21. 一种真空处理装置之清洁方法,该装置包括:使用处理气体被处理体之许多真空处理室;及连结于许多真空处理室,对各真空处理室搬入及搬出被处理体之真空搬送室,其特征为包括:将包含C1F之清洁气体供给于各室而清洁各室之过程;清洁终了后将各室排气之过程;及一边进行排气,一边重覆进行数次对各室内之惰性气体之供给及停止之过程。22. 一种真空处理装置之清洁方法,该装置包括:使用处理气体处理被处理体之许多真空处理室;连结于许多真空处理室,对各真空处理室搬入及搬出被处理体之真空搬送室;及将各室排气之真空排气系统;其特征为包括:将包含C1F@ss3之清洁气体供给于各室之一部或全部而清洁各室之过程;及在清洁时以真空排气系统排出清洁气体之过程。23. 一种真空处理装置,其特征为包括:使用处理气体处理被处理体之真空处理室;将清洁气体供给于真空处理室之清洁气体供给装置;及预先记忆由清洁气体造成之处理室之构件之损耗量,根据其数値与清洁次数发出更换构件之指令之更换指令装置。24. 一种真空处理装置,其特征为包括:使用处理气体处理被处理体之许多真空处理室;连结于许多真空处理室,对各真空处理室搬入及搬出被处理体之真空搬送室;将清洁气体供给于各室之清洁气体供给装置;及预先记忆由清洁气体造成之各室之构件之损耗量,根据该数値与清洁次数,发出更换构件之指令之更换指令装置。25. 一种真空处理方法,主要系用以处理气体处理被处理体之真空处理装置,其特征为包括:使用真空处理装置处理被处理体之过程;以清洁气体清洁真空处理装置之过程;及根据清洁气体所造成处理装置之构件之损耗量,掌握需要更换构件之清洁次数之过程。26. 如申请专利范围第25项之方法,其中清洁气体包含C1F@ss3。27. 一种真空搬送室,主要连结于使用处理气体处理被处理体之许多真空处理室,对各真空处理室搬入及搬出被处理体,其特征为具有供给包含C1F@ss3之清洁气体之清洁气体供给装置。28. 如申请专利范围第27项之真空搬送室,其中又包括排出清洁气体之排气装置。图示简单说明:第1图为本发明一实施例之多空室真空处理装置之模式图;第2图为用来说明本发明之清洁方法之一实施例之气体流动之模式图;第3图为第1图所示多空室真空处理装置之处理室及清洁气体供给系统之图;第4图为表示第1图所示多空室真空处理装置之真空预备室之图;第5图为表示第4图之真空预备室所使用之半导体晶圆之支持具之透视图;第6图A,B为表示使用于第2搬送室之搬送装置之平面图及侧面图;第7图为用来说明本发明清洁方法之其他实施例之模式图;第8图为表示本发明其他实施例之多空室真空处理装置之模式图;第9图为表示应用于第1图所示多空室真空处理装置之处理室之其他实施例之图;第10图为表示使用于第9图之处理室之头加热装置之断面图;第11图为表示使用于搬送室之多关节臂部之其他实施例之图;第12图为表示卡匣室之大气开放机构之图;第13图为用来说明多空室真空处理装置之清洁方法之其他实施例之图;第14图为用来说明对清洁终了后之真空处理装置内供给惰性气体之方法之实施例之图;第15图为用来说明多空室真空处理装置之清洁方法之另一实施例之图;第16图为C1F@ss3之蒸气压曲线之图表;第17图为湿式清洁与C1F@ss3清洁所需之总时间之图表;第18图为由形成之各种膜之C1F@ss3气体表现之刻蚀速度之图表;第19A及19B图为表示湿式清洁用试验片之试验前及试验后之表面粗细度之图表;第19C及19D图为表示C1F@ss3气体清洁用试验片之试验前及试验后之表面粗细度之图表;第20图为表示粒子评估之顺序之流程图;第21A及21B图为表示粒子评估之结果之图表;第22A-22C图为表示Fe之污染评估之结果之图表; |
