发明名称 | 一种实现多值电阻存储器的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种实现多值电阻存储器的方法,该方法包括:制作电极层/电阻转变层/电极层这样三明治结构的电阻存储器单元,并在电极层与电阻转变层交界的电极层表面上制作多个突起的导电尖端,该导电尖端的高度不等;在两边电极层加大小不等的电压,在导电尖端处形成尖端电场,该电场诱导导电细丝在尖端处形成并最终连通两电极层,实现多值电阻存储器。利用本发明,实现了电阻存储器的多值存储。 | ||
申请公布号 | CN101964395A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
申请号 | CN200910089595.1 | 申请日期 | 2009.07.22 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;张森;刘琦;龙世兵 |
分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种实现多值电阻存储器的方法,其特征在于,该方法包括:制作电极层/电阻转变层/电极层这样三明治结构的电阻存储器单元,并在电极层与电阻转变层交界的电极层表面上制作多个突起的导电尖端,该导电尖端的高度不等;在两边电极层加大小不等的电压,在导电尖端处形成电场,该电场诱导导电细丝在尖端处形成并最终连通两电极层,实现多值电阻存储器。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |