| 发明名称 | 氮化物半导体激光元件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及的氮化物半导体激光元件具备：形成在基板上的由氮化物半导体构成的活性层(106)；和形成在活性层(106)上，具有使电流选择性地向活性层(106)流动的开口部(109a)的电流缩窄层(109)；在将开口部(109a)与电流缩窄层(109)之间的有效折射率差设为Δn、将从活性层(106)发出的激光之中被封闭在活性层(106)中的激光的垂直方向的光封闭率设为Γv时，满足0.044＜Δn/Γv＜0.062的关系。 | ||
| 申请公布号 | CN101965667A | 申请公布日期 | 2011.02.02 |
| 申请号 | CN200980108300.9 | 申请日期 | 2009.10.21 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 小野泽和利;田村聪之;春日井秀纪 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种自激振荡型氮化物半导体激光元件，其特征在于，具备：形成在基板上的由氮化物半导体构成的活性层；和形成在所述活性层上，具有使电流选择性地向所述活性层流动的开口部的电流缩窄层；在将所述开口部与所述电流缩窄层之间的有效折射率差设为Δn、将从所述活性层发出的激光之中被封闭在所述活性层中的激光的垂直方向的光封闭率设为Γv时，满足0.044＜Δn/Γv＜0.062的关系。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||