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一种离子感测装置，系具有感测器，感测器内所设之基板上形成有半导体层，半导体层上则形成有氮化铝层〔AlN〕，并于感测器上对应于氮化铝层处形成有感测窗口，且半导体层上所固设之导线系连接至金氧半场效电晶体〔MOSFET〕之闸极。如申请专利范围第1项所述之离子感测装置，其中，该感测窗口形成有高分子膜。如申请专利范围第2项所述之离子感测装置，其中，该高分子膜系包括聚氯乙烯〔Polymer Vinyl Chloride,PVC〕、癸二酸二辛酯〔Bis(2-ethylhexyl)Sebacate,DOS〕、有机汞离子载体〔ETH9033〕、阴离子交换剂〔TDDMACl〕与四氢夫喃〔Tetra Hydro Furan,THF〕之高分子材料。如申请专利范围第3项所述之离子感测装置，其中，聚氯乙烯、癸二酸二辛酯、有机汞离子载体与阴离子交换剂之重量百分比之比例为33：66：2：10。如申请专利范围第1项至第4项中之任一项所述之离子感测装置，其中，该导线系以银胶固设于该半导体层上。如申请专利范围第5项所述之离子感测装置，其中，该半导体层为氧化铟锡层。如申请专利范围第6项所述之离子感测装置，其中，该基板为玻璃材质。如申请专利范围第5项所述之离子感测装置，其中，该基板为玻璃材质。如申请专利范围第1项至第4项中之任一项所述之离子感测装置，其中，该半导体层为氧化铟锡层。如申请专利范围第9项所述之离子感测装置，其中，该基板为玻璃材质。如申请专利范围第1项至第4项中之任一项所述之离子感测装置，其中，该基板为玻璃材质。 |
