| 主权项 |
一种内连线结构，包括：复数个介电层，在至少一切割线上具有复数个对准排列之制程控制监测(PCM)垫；以及一导电结构，设置于一最上方的制程控制监测垫之上，该导电结构电性连接该最上方的制程控制监测垫至其上方之一待测元件，该导电结构的尺寸及形状系露出该最上方的制程控制监测垫的主要部分，以利于一电路探针接近。如申请专利范围第1项所述之内连线结构，其中该导电结构与该最上方的制程控制监测垫的接触位置系位于或靠近该最上方的制程控制监测垫之周边。如申请专利范围第1项所述之内连线结构，其中该导电结构的形状为一C形或U形。如申请专利范围第1项所述之内连线结构，其中该导电结构包含复数个接触延伸线延伸平行该切割线。如申请专利范围第4项所述之内连线结构，其中该接触延伸线偏离该切割线的中央。如申请专利范围第1项所述之内连线结构，其中至少约60%的该最上方的制程控制监测垫经由该导电结构露出，以利于该电路探针接近。如申请专利范围第1项所述之内连线结构，其中至少约85%以上的该最上方的制程控制监测垫经由该导电结构露出，以利于该电路探针接近。如申请专利范围第1项所述之内连线结构，其中该介电层为低介电常数材料层。如申请专利范围第1项所述之内连线结构，其中该导电结构具有一接触部分，从该待测元件大抵垂直地延伸，穿过一保护层与该最上方的制程控制监测垫接触，该接触部分之宽度小于该最上方的制程控制监测垫之长度。一种晶圆，包括：一基底，具有复数个积体电路在该基底上方，以及至少一切割线在两个积体电路之间；复数个介电层，在该至少一切割线内形成，并具有复数个对准排列的制程控制监测(PCM)垫于其内；以及一导电结构，设置于一最上方的制程控制监测垫之上，该导电结构电性连接该最上方的制程控制监测垫至其上方之一待测元件，该导电结构的尺寸及形状系露出该最上方的制程控制监测垫的主要部分，以利于一电路探针接近。如申请专利范围第10项所述之晶圆，其中该导电结构的形状为一多边形，延伸包围该最上方的制程控制监测垫周边，且具有一开口使得该最上方的制程控制监测垫之一内部区域露出。如申请专利范围第10项所述之晶圆，其中该导电结构与该最上方的制程控制监测垫的接触位置系位于或靠近该最上方的制程控制监测垫之周边。如申请专利范围第10项所述之晶圆，其中该导电结构的形状为一C形或U形。如申请专利范围第10项所述之晶圆，其中该导电结构包含复数个接触延伸线延伸平行该切割线。如申请专利范围第14项所述之晶圆，其中该接触延伸线偏离该切割线的中央。如申请专利范围第15项所述之晶圆，其中该接触延伸线的末端互相连接，形成一环形物包围该最上方的制程控制监测垫。如申请专利范围第10项所述之晶圆，其中该导电结构具有一接触部分，从该待测元件大抵垂直地延伸，穿过一保护层与该最上方的制程控制监测垫接触，该接触部分之宽度小于该最上方的制程控制监测垫之长度。一种内连线结构，包括：复数个介电层，在至少一切割线上具有复数个对准排列之制程控制监测垫，其中一最上方的制程控制监测垫具有一金属区与一非金属区；以及一导电结构，设置于该最上方的制程控制监测垫之上，该导电结构电性连接该最上方的制程控制监测垫至其上方之一待测元件，其中该导电结构覆盖住至少一部份的该金属区，但未覆盖住该非金属区。如申请专利范围第18项所述之内连线结构，其中该导电结构接触该最上方的制程控制监测垫中靠近该待测元件的一第一部份，但并未延伸至该最上方的制程控制监测垫中远离该待测元件的一第二部份上。如申请专利范围第18项所述之内连线结构，其中该导电结构包含：复数个接触延伸线，延伸平行该切割线，且该接触延伸线偏离该切割线的中央；以及一接触部分，从该待测元件大抵垂直地延伸，穿过一保护层与该最上方的制程控制监测垫接触，该接触部分之宽度小于该最上方的制程控制监测垫之长度。 |
