| 主权项 |
一种双闸极电晶体，包括：一第一闸极，位于一基板上；一第一介电层，覆盖于该第一闸极与该基板上；一半导体层，位于该第一介电层与该第一闸极上；一第一电极与一第二电极，分别位于该半导体层上，且该第二电极与该第一电极之间，具有一间隔，用以互相分离；一第二介电层，覆盖于该第一电极、该第二电极、与部份之该半导体层；及一第二闸极，位于该第二介电层上，其中该第二闸极及该第一闸极之其中之一者并未与该第二电极重叠。如申请专利范围第1项之双闸极电晶体，其中该第二闸极靠近该第二电极之一侧。如申请专利范围第2项之双闸极电晶体，其中该第二闸极远离该第二电极之另一侧，系与部份该第一电极重叠。如申请专利范围第1项之双闸极电晶体，其中该第二闸极靠近该第二电极之一侧壁，距该第一电极1/3处至与该第二电极侧壁切齐之间。如申请专利范围第4项之双闸极电晶体，其中该第二闸极远离该第二电极之另一侧壁，其垂直映射系落于该第一电极。如申请专利范围第1项之双闸极电晶体，其中该第二闸极系与部份该间隔重叠，该部份间隔占该间隔之1/3以上。如申请专利范围第1项之双闸极电晶体，其中该第一闸极靠近该第二电极之一侧。如申请专利范围第7项之双闸极电晶体，其中该第一闸极远离该第二电极之另一侧，系与部份该第一电极重叠。如申请专利范围第1项之双闸极电晶体，其中该半导体层之材料系包含非晶矽、多晶矽、单晶矽、微晶矽或上述之组合。如申请专利范围第1项之双闸极电晶体，其中该第一闸极靠近该第二电极之一侧壁，距该第一电极1/3处至与该第二电极侧壁切齐之间。如申请专利范围第10项之双闸极电晶体，其中该第一闸极远离该第二电极之另一侧壁，其垂直映射系落于该第一电极。如申请专利范围第1项之双闸极电晶体，其中该第一闸极系与部份该间隔重叠，该部份间隔占该间隔之1/3以上。如申请专利范围第1项之双闸极电晶体，其中更包括一隔离区块，位于该半导体层上，该第一电极与该第二电极分别由该隔离区块之左右二侧延伸覆盖住部份该隔离区块上，该隔离区块未被该第一电极与该第二电极覆盖之部份则构成该间隔。如申请专利范围第1项之双闸极电晶体，其中，该半导体层，系包含一通道层及一掺杂半导体层，系位该通道层之上。如申请专利范围第14项之双闸极电晶体，其中，该通道层，系包含一第一浅掺杂层及一第二浅掺杂层，系位于该第一浅杂层之上。如申请专利范围第1项之双闸极电晶体，其中，该半导体层，系包含至少一第一掺杂区、至少一第二掺杂区及至少一非掺杂区。如申请专利范围第16项之双闸极电晶体，其中，该第一掺杂区，系位该半导体层之二端，且该非掺杂区系位于该半导体层之二端之该第一掺杂区之间。如申请专利范围第16项之双闸极电晶体，其中，该第二掺杂区，系位于该第一掺杂区及该非掺杂区之间。如申请专利范围第16项之双闸极电晶体，其中，该非掺杂区，系位于该第一掺杂区及该第二掺杂区之间。一种画素结构，系包括：专利范围第1项所述之双闸极电晶体；至少一电容；及至少一电性连接于该双闸极电晶体之讯号线，且该讯号线系包含至少一扫描线及至少一资料线。如申请专利范围第20项所述之画素结构，其中该双闸极电晶体之该第一闸极，系电性连接于该扫描线，且该第二闸极系电性连接于该第一闸极。如申请专利范围第20项所述之画素结构，更包含一导线，其中，该双闸极电晶体之该第一闸极，系电性连接于该扫描线，且该第二闸极系电性连接于该导线。 |
