| 发明名称 | 一种半导体发光器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上具有氧化硅膜层；在所述氧化硅膜层上具有点阵排列的圆孔，所述圆孔的深度与氧化硅膜层的深度相等，在所述圆孔内具有n型GaN膜；在所述n型GaN膜上具有至少一个周期的GaInN/GaN量子阱；在所述的GaInN/GaN量子阱上具有p型GaN膜。本发明提供的半导体发光器件中，GaInN/GaN量子阱呈点阵排列，与在衬底上直接外延得到的量子阱结构相比，点阵排列的GaInN/GaN量子阱可以提高LED显示屏的分辨率。 | ||
| 申请公布号 | CN101958333A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910055071.0 | 申请日期 | 2009.07.20 |
| 申请人 | 上海半导体照明工程技术研究中心 | 发明人 | 李抒智;杨卫桥;王康平;马可军;周颖圆;熊峰;侯晓燕 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上具有氧化硅膜层；在所述氧化硅膜层上具有点阵排列的圆孔，所述圆孔的深度与氧化硅膜层的深度相等，在所述圆孔内具有n型GaN膜；在所述n型GaN膜上具有至少一个周期的GaInN/GaN量子阱；在所述GaInN/GaN量子阱上具有p型GaN膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路887弄78号5楼 | ||