| 发明名称 | 接触孔形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种接触孔形成方法，包括：提供依次形成有绝缘介质和光刻胶层的晶圆，所述光刻胶层中包含有接触孔图案，绝缘介质层内包含有深度小于预定深度的接触孔；测量晶圆表面光刻胶层中接触孔图案的临界尺寸后，根据接触孔深度与光刻胶层中接触孔图案临界尺寸的关系曲线确定接触孔的深度；对接触孔进行刻蚀至预定深度。本发明使晶圆得到充分利用，提高利用率以及成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101958275A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910054929.1 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司 | 发明人 | 谢飞;谢斯斯;刘锐;刘燕;林涛;张天翼;陈晋 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种接触孔形成方法，其特征在于，包括：提供依次形成有绝缘介质和光刻胶层的晶圆，所述光刻胶层中包含有接触孔图案，绝缘介质层内包含有深度小于预定深度的接触孔；测量晶圆表面光刻胶层中接触孔图案的临界尺寸后，根据接触孔深度与光刻胶层中接触孔图案临界尺寸的关系曲线确定接触孔的深度；对接触孔进行刻蚀至预定深度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||