发明名称 |
一种双曝光方法 |
摘要 |
本发明提供一种双曝光对准扫描曝光的方法,包括以下步骤:(1)利用光源通过投影镜头形成主光轴;(2)将第一掩模版和第二掩模版放在承版台上;(3)进行所述掩模版对准;(4)进行离轴硅片对准,将硅片放置在承片台上;(5)将所述硅片移动到所述主光轴位置;(6)利用所述承版台带动所述第一掩模版运动到所述主光轴位置,将第一掩模版的图形曝光成像在所述硅片上;(7)利用所述承版台带动所述第二掩模版运动到所述主光轴位置,将第二掩模版的图形曝光成像在所述硅片上。本发明利用掩模版承版台将两块不同的掩模版依次在同一个涂胶层上分别进行独立的曝光,双曝光技术可以将二维的图案分解为两个更容易精确地生成的一维图案。 |
申请公布号 |
CN101957562A |
申请公布日期 |
2011.01.26 |
申请号 |
CN201010265032.6 |
申请日期 |
2009.03.26 |
申请人 |
上海微电子装备有限公司;上海微高精密机械工程有限公司 |
发明人 |
齐宁宁;齐芊枫;李志龙 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种双曝光方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)利用光源通过投影镜头形成主光轴;(2)将第一掩模版和第二掩模版放在承版台上;(3)进行所述掩模版对准;(4)进行离轴硅片对准,将硅片放置在承片台上;(5)将所述硅片移动到所述主光轴位置;(6)利用所述承版台带动所述第一掩模版运动到所述主光轴位置,将第一掩模版的图形曝光成像在所述硅片上;以及(7)利用所述承版台带动所述第二掩模版运动到所述主光轴位置,将第二掩模版的图形曝光成像在所述硅片上。 |
地址 |
201203 上海市张东路1525号 |