发明名称 |
隔离结构的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种隔离结构的制作方法,该方法包括:在半导体衬底上依次形成隔离氧化层和氮化硅层;依次刻蚀氮化硅层、隔离氧化层及半导体衬底,在所述半导体衬底内形成沟槽;在所述沟槽内部表面生长一层衬垫氧化硅;在沟槽内进行氧化物的填充及抛光,形成浅沟槽隔离区,并去除所述氮化硅层,露出隔离氧化层;采用氢氟酸对隔离氧化层进行厚度及均匀性控制;以隔离氧化层为掩膜,在半导体衬底上进行有源区注入;去除所述隔离氧化层。采用该方法在制作栅氧化层之前,只对半导体衬底进行了一次氧化,能够使半导体衬底和沟槽氧化物的拐角处的硅比较平滑,减少了半导体器件漏电现象的发生。 |
申请公布号 |
CN101958268A |
申请公布日期 |
2011.01.26 |
申请号 |
CN200910055168.1 |
申请日期 |
2009.07.21 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
唐兆云 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
牛峥;王丽琴 |
主权项 |
一种隔离结构的制作方法,该方法包括:在半导体衬底上依次形成隔离氧化层和氮化硅层;依次刻蚀氮化硅层、隔离氧化层及半导体衬底,在所述半导体衬底内形成沟槽;在所述沟槽内部表面生长一层衬垫氧化硅;在沟槽内进行氧化物的填充及抛光,形成浅沟槽隔离区,并去除所述氮化硅层,露出隔离氧化层;采用氢氟酸对隔离氧化层进行厚度及均匀性控制;以隔离氧化层为掩膜,在半导体衬底上进行有源区注入;去除所述隔离氧化层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |