发明名称 用于深沟渠电容器之中心节点
摘要 根据木发明的一种沟渠电容器单元(100),包含一沟渠而有一外部电极(110)形成于与该沟渠相邻之基板内。一储存节点(108)系形成于该沟渠内且依电容方式称合于该外部电极上。一中心节点(112)系依电容方式称合于该储存节点上,且该储存节点则围绕着该沟渠之内的中心节点。该中心节点包含一部分系自该沟渠展伸出来以便连接到一电位(P)上而于作业期间于该储存节点内提供电荷保持作用。
申请公布号 TW474002 申请公布日期 2002.01.21
申请号 TW089120814 申请日期 2001.04.03
申请人 印芬龙科技北美股份有限公司 发明人 厄尔里契吉姆尔曼恩;汤姆斯亚克哈姆尔
分类号 H01L27/108 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 2.如申请专利范围第1项之沟渠电容器单元,尚包含一緖合于该储存节点上的传输电晶体以供该沟渠电容器进行充电和放电。3.如申请专利范围第1项之沟渠电容器单元,其中该电位可为一定常电位。4.如申请专利范围第1项之沟渠电容器单元,其中自该沟渠伸展出来的该中心节点部分可包含一连接到字元线上的连接结构。5.如申请专利范围第1项之沟渠电容器单元,其中该字元线可为一用于该沟渠电容器单元之动作中字元线。6.如申请专利范围第1项之沟渠电容器单元,其中该字元线是一通行字元线。7.如申请专利范围第1项之沟渠电容器单元,其中该中心节点到该储存节点之电容可在0.5毫微微法拉第到30毫微微法拉第之间。8.如申请专利范围第1项之沟渠电容器单元,其中该中心节点到该储存节点之电容是5毫微微法拉第。9.如申请专利范围第1项之沟渠电容器单元,其中该电位可受一耦合于该中心节点上之控制电路的控制以便调整该电位而维持该储存节点内之电荷保持作用。10.如申请专利范围第1项之沟渠电容器单元,其中该控制电路可根据该沟渠电容器单元上所执行的作业而改变该中心节点上的电位。11.一种沟渠电容器单元,包括:一沟渠,系有一外侧电极形成于与该沟渠相邻之基板内;一储存节点,系形成于该沟渠内且依电容方式耦合于该外部电极上,该储存节点系连接于一能使该储存节点充电或放电的传输电晶体上;及一中心节点,系依电容方式耦合于该储存节点上且该储存节点则围绕着该沟渠之内的中心节点,该中心节点包含一部分系连接于该传输电晶体上而于作业期间于该储存节点内提供电荷保持作用。12.如申请专利范围第11项之沟渠电容器单元,尚包含一位元线系耦合于该传输电晶体上以供该沟渠电容器充电和放电之用。13.如申请专利范围第11项之沟渠电容器单元,其中该传输电晶体之闸极可包含一字元线。14.如申请专利范围第11项之沟渠电容器单元,其中该字元线可为一用于该沟渠电容器单元的动作中字元线。15.如申请专利范围第11项之沟渠电容器单元,其中该中心节点到该储存节点之电容可在0.5毫微微法拉第到30毫微微法拉第之间。16.如申请专利范围第11项之沟渠电容器单元,其中该中心节点到该储存节点之电容是5毫微微法拉第。17.一种沟渠电容器单元,包括:一沟渠,系有一外侧电极形成于与该沟渠相邻之基板内;一储存节点,系形成于该沟渠内且依电容方式耦合于该外部电极上,该储存节点系连接于一能使该储存节点充电或放电的传输电晶体上;及一中心节点,系依电容方式耦合于该储存节点上且该储存节点则围绕着该沟渠之内的中心节点,该中心节点包含一部分系连接于一通行字元线上而于作业期间于该储存节点内提供电荷保持作用。18.如申请专利范围第17项之沟渠电容器单元,其中该传输电晶体可包含一连接于动作中字元线上的闸极。19.如申请专利范围第18项之沟渠电容器单元,其中该动作中字元线与该被动字元线可是同时启动。20.如申请专利范围第18项之沟渠电容器单元,其中该动作中字元线和该被动字元线之同时启动作业系藉由将每一位元线对之一配置于一感测放大器的各相对侧上使得该对位元线不是件相邻配置而提供的。图式简单说明:第1图系用以显示一种习知深沟渠电容器单元的简略图示。第2A图系用以显示一种根据本发明之深沟渠电容器单元的简略图示。第2B图系用以显示一种根据本发明如第2A图所示深沟渠电容器单元之另一实施例的简略图示。第3图系用以显示一种根据本发明有中心节点连接于字元线上之深沟渠电容器单元的简略图示。第4图系用以显示一种根据本发明如第3图所示深沟渠电容器单元之等效电路的简略图示。第5图显示的是根据本发明之储存节点电压对相对于该储存节点之中心节点电容作图的显示用曲线。第6图描绘的是一种用以显示将一位元线对连接于感测放大器同一侧上之习知布置。第7图描绘的是一种藉由使用在感测放大器相对侧上之位元线而施行本发明的布置。
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