| 主权项 |
1.一种灯具退火器系统,其特征为包含:处理槽,系用于将晶圆收纳其内;灯具积块,系含有多个能够在与其他区域片段之输出功率无关之输出功率下对晶圆的对应部分进行加热的区域片段;多个温度计,每一个都是用于量测晶圆之对应部分的温度;以及控制区段,系以由对应温度计量测得之温度为基础用于控制该灯具积块中每一个该区域片段之输出功率。2.如申请专利范围第1项之灯具退火器系统,其中该控制区段会消除因至少一个先前步骤所导致之特征起伏。3.一种用于制造半导体装置之方法,其特征为包括下列步骤:于每一个特定工作步骤中量测用于晶圆之处理条件中某一项目的数値,其中该项目会影响从该晶圆得到之最终成品的电晶体特征;计算因该项目之数値所导致电晶体特征内的起伏;在退火步骤之前将各特定工作步骤中计算得之起伏加在一起以计算出总起伏;对晶圆施行退火而以总起伏及用于显示处理温度与电晶体特征之间关系的数値表现式为基础控制其处理温度。4.如申请专利范围第3项之方法,其中为该晶圆之多个区域片段中的每一个区域片段计算出该电晶体特征之起伏,并为该多个区域片段中的每一个区域片段进行其处理温度之控制。5.如申请专利范围第3项之方法,其中以该项目値与该电晶体特征间之特定关系表现式为基础计算出该起伏。6.如申请专利范围第3项之方法,其中该项目指的是一种MOS电晶体之闸极长度及/或其闸极电极之侧壁膜的厚度。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该电晶体特征指的是该MOS电晶体之临限电压。图式简单说明:第1图系用以显示一种根据本发明某一实施例中灯具退火器之处理温度控制系统的方块图示。第2图系用以显示一种该实施例中灯具退火器之处理槽及配件结构的概要图。第3图系用以显示一种该实施例中灯具退火器之灯具积块内各区域片段的图示。第4图系用以显示一种该实施例中处理温度控制系统之作业实例的流程图。 |
