| 发明名称 | 刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 一种刻蚀方法，包括：提供晶圆，所述晶圆表面具有介质层；在所述介质层表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成底部抗反射层；在所述底部抗反射层表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形具有两种或两种以上的密度的图案；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀底部抗反射层，形成底部抗反射层图形；以所述光刻胶图形、底部抗反射层图形为掩膜，刻蚀缓冲层，形成缓冲层图形；减薄底部抗反射层图形；以底部抗反射层图形、缓冲层图形为掩膜，刻蚀介质层，形成接触孔。本发明能够减少刻蚀工艺完成后晶圆表面的缺陷数量。 | ||
| 申请公布号 | CN101958245A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200910054941.2 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王新鹏;韩秋华 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆表面具有介质层；在所述介质层表面形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成底部抗反射层；在所述底部抗反射层表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形具有两种或两种以上的密度的图案；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀底部抗反射层，形成底部抗反射层图形；以所述光刻胶图形、底部抗反射层图形为掩膜，刻蚀缓冲层，形成缓冲层图形；减薄底部抗反射层图形；以底部抗反射层图形、缓冲层图形为掩膜，刻蚀介质层，形成接触孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||