| 主权项 |
1.一种提升动态随机存取记忆体电容器品质与晶圆之间均匀度的方法,至少包含下列步骤:提供复数个半导体晶圆;传送该复数个半导体晶圆至一超高真空制程模组之一反应室内;升高该反应室之温度至一第一温度;封闭该反应室;执行复数次第一纯净化循环于该复数个半导体晶圆于该第一温度,该第一纯净化循环至少包含通入一矽甲烷气至该反应室内并抽出该矽甲烷气;执行复数次第二纯净化循环于该复数个半导体晶圆并升高该反应室之温度至一第二温度,该第二纯净化循环至少包含通入一氦气至该反应室内并抽出该氦气;及执行一种晶制程于该复数个半导体晶圆上于该第二温度。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第一温度为的400℃至约410℃之间。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第一纯净化循环是于约10-3torr至约10-4torr的压力之间执行。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第一纯净化循环之执行时间为的30分钟至约60分钟之间。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该矽甲烷气之流速为的5sccm至约10sccm之间。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第二温度为约550℃至约560℃的温度之间。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该氦气之流速为的100sccm至约200sccm之间。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该种晶制程为一半球状晶粒种晶制程,且以一选择性半球状晶粒种晶制程较佳。9.一种提升动态随机存取记忆体电容器品质与晶圆之间均匀度的方法,至少包含下列步骤:提供复数个半导体晶圆;传送该复数个半导体晶圆至一超高真空制程模组之一反应室内;升高该反应室之温度至一第一温度;封闭该反应室;执行复数次第一纯净化循环于该复数个半导体晶圆于该第一温度,该第一纯净化循环至少包含通入一矽甲烷气至该反应室内并抽出该矽甲烷气;执行复数次第二纯净化循环于该复数个半导体晶圆并升高该反应室之温度至一第二温度,该第二纯净化循环至少包含通入一氦气至该反应室内并抽出该氦气;及执行一选择性半球状晶粒种晶制程于该复数个半导体晶圆上于该第二温度。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该第一温度是在约400℃至约410℃之间。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该第一纯净化循环是于约10-3torr至约10-4torr的压力之间执行。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该第一纯净化循环之执行时间为约30分钟至约60分钟之间。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该矽甲烷气之流速为约5sccm至约10sccm之间。14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该第二温度为约550℃至约560℃的温度之间。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该氦气之流速为约100sccm至约200sccm之间。16.一种提升动态随机存取记忆体电容器品质与晶圆之间均匀度的方法,至少包含下列步骤:提供复数个半导体晶圆;传送该复数个半导体晶圆至一超高真空制程模组之一反应室内;升高该反应室之温度至约400℃;封闭该反应室;执行复数次第一纯净化循环于该复数个半导体晶圆在约400℃,该第一纯净化循环至少包含通入一矽甲烷气至该反应室内并抽出该矽甲烷气;执行复数次第二纯净化循环于该复数个半导体晶圆并升高该反应室之温度至约560℃,该第二纯净化循环至少包含通入一氦气至该反应室内并抽出该氦气;及执行一选择性半球状晶粒种晶制程于该复数个半导体晶圆上于约560℃。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之该第一纯净化循环是于约10-3torr至约10-4torr的压力之间执行18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之该第一纯净化循环之执行时间为约30分钟至约60分钟之间。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之该矽甲烷气之流速为约5sccm至约10sccm之间。20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述之该氦气之流速为约100sccm至约200sccm之间。图式简单说明:第一A图显示一传统堆积型电容器的剖面图;第一B图显示一传统选择性半球状晶粒种晶技术时间对温度图;第二A图显示一用于进行本发明之选择性半球状晶粒种晶制程之传统超高真空反应器;第二B图显示一本发明之选择性半球状晶粒种晶技术时间对温度图;及第二C图显示量测两批分别由本发明之方法与传统之方法进行种晶之晶圆上之动态随机存取记忆体电容値之结果。 |
