发明名称 | 多层配线结构的形成方法 | ||
摘要 | 一种多层配线结构,其特征在于:由第1层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜上的第2层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜中的用第1阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的配线槽、形成在上述第2层间绝缘膜中的用第2阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的通孔、填充上述配线槽的配线图案,以及填充上述通孔的通过插件构成,上述通过插件与上述配线图案的表面接触,上述配线图案在上述表面上具有凹凸,上述配线图案,沿着在上述配线图案中从上述表面朝向上述配线图案内部延伸的晶粒界面,含有高于上述表面中的浓度的氧原子。 | ||
申请公布号 | CN101271861B | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
申请号 | CN200810091384.7 | 申请日期 | 2002.12.26 |
申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 山本保;绵谷宏文;北田秀树;堀内博志;宫岛基守 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺 |
主权项 | 一种多层配线结构的形成方法,其特征在于,包含:在形成了蚀刻制止膜的层间绝缘膜中形成配线槽的工序,在上述层间绝缘膜上堆积阻挡金属膜,用上述阻挡金属膜覆盖上述配线槽的表面,然后用金属层填充上述配线槽的工序,以上述阻挡金属膜作为制止膜来用化学机械研磨除去上述金属层中、堆积在上述层间绝缘膜的表面上的部分的工序,在上述化学机械研磨工序之后,对上述金属层进行热处理的工序,平坦化工序,在上述热处理之后,通过平坦化处理来除去形成在上述金属层的表面上的突起;在上述平坦化处理中,在上述层间绝缘膜的表面,通过化学机械研磨来除去上述阻挡金属膜和上述蚀刻制止膜,在上述层间绝缘膜的表面,上述阻挡金属膜和上述蚀刻制止膜的厚度合计小于100nm。 | ||
地址 | 日本神奈川县横浜市 |