图像传感器及其制造方法

摘要

本发明的实施例涉及一种图像传感器和一种用于制造图像传感器的方法。根据实施例，可在半导体衬底上制造晶体管结构，并且可形成覆盖晶体管结构的绝缘层。该绝缘层结构可被图案化以形成暴露所述半导体衬底的第一通道，并且在所述第一通道和绝缘层结构上形成硅层。可对硅层和绝缘层结构图案化以形成暴露所述晶体管结构的第二通道，并且所述第二通道可用金属填充以形成与所述晶体管结构进行电连接的连接线；可将导电性杂质注入所述硅层中，从而形成与所述连接线连接的光接收部。

主权项

一种图像装置，包括：晶体管结构，设置在硅衬底上；绝缘层结构，其设置在所述硅衬底上，并配置成对所述晶体管结构进行绝缘；硅层，设置在所述绝缘层结构上并通过第一通道与所述硅衬底连接；光接收部，形成于所述硅层中并掺杂有低浓度离子；以及连接线，其形成于第二通道中，并配置成将所述光接收部与所述晶体管结构进行电连接，其中所述硅衬底、第一通道和硅层由单晶硅形成。