| 发明名称 | 使用多层碳纳米管的非易失碳纳米管存储器及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使用多层碳纳米管的非易失性碳纳米管存储器及其操作方法。该非易失性存储器包括：基底；形成在基底上的第一电极；形成在第一电极上且彼此间隔的第一和第二垂直壁；形成在第一和第二垂直壁之间的第一电极上的多层碳纳米管；分别设置在第一和第二垂直壁处的第二和第三电极；以及设置在多层碳纳米管上方的第四电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1996491B | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200610143558.0 | 申请日期 | 2006.11.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 利奥尼德·马斯罗夫;柳震奎;金澈淳 |
| 分类号 | G11C11/50(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 马高平;杨梧 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器，其包括：基底；形成在基底的上表面上的第一电极；形成在第一电极上且彼此间隔的第一和第二垂直壁；形成在第一和第二垂直壁之间的第一电极上的多层碳纳米管；分别设置在第一和第二垂直壁的上表面之上且彼此相对的第二和第三电极；设置在多层碳纳米管上方的第四电极；以及设置在多层碳纳米管上方的上基底，其中所述第四电极形成在上基底的底表面上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||