| 发明名称 | 半导体基板、半导体装置、及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 以实用且简单的手法，形成良好的3-5族化合物半导体与氧化层的界面。本发明公开了一种半导体基板，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP且不包含砷的3-5族化合物的第1半导体层；以及，邻接于所述第1半导体层而形成的且晶格匹配或准晶格匹配于InP的3-5族化合物的能够相对于所述笫1半导体层选择性的氧化的第2半导体层。另外，公开一种半导体装置，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP且不包含砷的3-5族化合物的第1半导体层；将邻接于所述第1半导体层而形成且晶格匹配或准晶格匹配于InP的3-5族化合物的第2半导体层的至少一部分相对于所述第1半导体层进行选择性的氧化而形成的氧化层；以及控制电极，对形成于所述第1半导体层的通道施加电场。 | ||
| 申请公布号 | CN101960605A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN200980107412.2 | 申请日期 | 2009.03.26 |
| 申请人 | 国立大学法人东京大学;住友化学株式会社 | 发明人 | 竹中充;高木信一;秦雅彦;市川磨 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 一种半导体基板，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP，且不包含砷的3‑5族化合物的第1半导体层；以及邻接于所述第1半导体层而形成的、晶格匹配或准晶格匹配于InP的3‑5族化合物的、能够相对于所述第1半导体层选择性的氧化的第2半导体层。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||