| 发明名称 | 光可逆的纳米压印光刻胶及其制备和应用方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体制造技术领域的光可逆的纳米压印光刻胶及其制备和应用方法，其光刻胶的组分及质量百分比含量为：光可逆交联剂5～50％、光聚合性化合物5～80％以及为光聚合引发剂或光产酸剂0.1％～15％，其中光可逆交联剂的结构式为：<img file="201010266692.6_ab_0.GIF" wi="268" he="136" />本发明制备得到光刻胶的黏度低，便于旋涂涂覆与压印工艺操作，光可逆且抗刻蚀好。 | ||
| 申请公布号 | CN101957559A | 申请公布日期 | 2011.01.26 |
| 申请号 | CN201010266692.6 | 申请日期 | 2010.08.30 |
| 申请人 | 上海交通大学;日立化成工业株式会社 | 发明人 | 林宏;万霞;姜学松;王庆康;印杰;锻治诚 |
| 分类号 | G03F7/027(2006.01)I;C07D311/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
| 主权项 | 1.一种制备光刻胶的交联剂，其特征在于，其分子结构式为：<img file="FDA0000025341110000011.GIF" wi="869" he="310" />其中：R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>、R<sub>3</sub>和R<sub>4</sub>分别为氢原子、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基、C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷氧基、卤素、氰基、羟基、C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>烯基、C<sub>2</sub>-C<sub>10</sub>炔基或C<sub>3</sub>-C<sub>10</sub>环烷基，n是1-10的整数。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 | ||